[实用新型]半导体结构及扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201720957269.8 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN207217505U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 扇出型 封装 | ||
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：
塑封材料层，所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面；
半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且所述半导体芯片的正面相较于所述塑封材料层的第一表面内凹预设深度；
重新布线层，位于所述塑封材料层的第一表面，且与所述半导体芯片电连接；
焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面，且与所述重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：
电介质层；
金属线层，位于所述电介质层内。
3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：
电介质层；
金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。
4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层。
5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊料凸块包括：
金属柱，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；
焊球，位于所述金属柱的远离所述半导体芯片的表面。
6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊料凸块为焊球。
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