[实用新型]一种晶硅硅片背面结构有效
申请号: | 201720930190.6 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN207183299U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 郭斌 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/049 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 背面 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶硅硅片背面结构,属于晶硅太阳能电池制造领域。
背景技术
近几年,晶硅太阳能电池背面银浆印刷面积越来越小,由原来的一根连续的焊接背极演变成现在的3分段或4分段背极,主要目的是通过减少背面银浆的面积以提高铝浆的印刷面积,从而增加铝浆与硅片接触烧结形成的一层BSF层面积,具有较高的钝化效果,可以减少电子复合,提高太阳能电池的开路电压,进而提高电池转换效率;但背面银浆印刷在太阳能电池中主要起到传导电流及组件焊接作用,所以不能为了提高开路电压而无限制的增大铝浆印刷面积,而减小背面银浆电极面积,如果背面银浆面积太小,则焊接时容易出现虚焊,组件的可靠性会降低,太阳光照时产生的电流,不能有效的传导出组件外,组件的功率也会降低。
发明内容
为了不影响组件电极焊接,同时能够有效的传导电流并提高背面银浆电极处的钝化效果,提高开路电压,本实用新型提出一种晶硅硅片背面结构,其通过设置第一层钝化性银浆,提高与硅片接触时的钝化效果,提高开路电压,而后导电性银浆解决导电性及焊接问题;本实用新型在不降低背面银浆面积的情况下,即保持一定的钝化效果,同时又保证了组件制造过程中的导电性和焊接性,提高了电池转换效率,提高了组件功率。
为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:一种晶硅硅片背面结构,包括晶硅硅片,所述晶硅硅片背面包括第一层钝化性银浆层、第二层导电性银浆层及铝浆层,所述第一层钝化性银浆层位于晶硅硅片背面上方,所述第二层导电性银浆层位于第一层钝化性银浆层上方,所述第二层导电性银浆层的宽度小于第一层钝化性银浆层的宽度,第二层导电性银浆层的边沿与第一层钝化性银浆层边沿之间形成边缘区,所述边缘区上印刷有铝浆层,所述铝浆层与第一层钝化性银浆边缘重叠。
本技术方案的有益效果在于:铝浆层仅与第一层钝化性银浆边缘重叠,而基本上不与第二层导电性银浆重叠,因此,可极大的增加第二层导电性银浆裸露的面积,增加导电效果及后期焊带的焊接;同时,铝浆与第一层钝化性银浆重叠可使电流自铝浆处转移到第一层钝化性银浆处,加之第二层导电性银浆呈叠层设计,因此,电流能顺利导出;并且,本发明整体表面呈平面,厚度大致一致,因此,可极大的降低区域不平整导致的碎片现象;一方面保证电流顺利输出,另一方面给组件制作提供了可靠的焊接条件,能够确保不易虚焊,提高了组件的可靠性及组件功率。
优选的,所述钝化性银浆的印刷宽度2-4mm,印刷高度2-5μm;所述的导电型银浆印刷宽度为1.5-3.5mm,印刷高度为5-15微米。
优选的,第一层钝化性银浆边缘与铝浆层边缘重叠印刷0.1mm-1mm。
优选的,所述所述边缘区宽度等于第一层钝化性银浆边缘与铝浆层边缘重叠宽度。
优选的,所述边缘区宽度为0.1mm-1mm。
本技术方案的有益效果在于:可增加第一层钝化性银浆的面积,进而增加BSF的面积,进而增加钝化效果。
附图说明
图1为本发明所制备的背面银浆印刷结构示意图。
其中:1.硅片;2.铝浆层;3.第二层导电性银浆层;4.第一层钝化性银浆。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明进一步说明:
实施例1:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的