[实用新型]一种晶硅硅片背面结构有效
申请号: | 201720930190.6 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN207183299U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 郭斌 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/049 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 272000 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 背面 结构 | ||
1.一种晶硅硅片背面结构,包括晶硅硅片,其特征在于所述晶硅硅片背面包括第一层钝化性银浆层、第二层导电性银浆层及铝浆层,所述第一层钝化性银浆层位于晶硅硅片背面上方,所述第二层导电性银浆层位于第一层钝化性银浆层上方,所述第二层导电性银浆层的宽度小于第一层钝化性银浆层的宽度,第二层导电性银浆层的边沿与第一层钝化性银浆层边沿之间形成边缘区,所述边缘区上印刷有铝浆层,所述铝浆层与第一层钝化性银浆边缘重叠。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅硅片背面结构,其特征在于所述钝化性银浆的印刷宽度2-4mm,印刷高度2-5μm;所述的导电型银浆印刷宽度为1.5-3.5mm,印刷高度为5-15微米。
3.根据权利要求1所述的一种晶硅硅片背面结构,其特征在于所述所述边缘区宽度等于第一层钝化性银浆边缘与铝浆层边缘重叠宽度。
4.根据权利要求1所述的一种晶硅硅片背面结构,其特征在于所述边缘区宽度为0.1mm-1mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于润峰电力有限公司,未经润峰电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720930190.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制绒槽絮凝脏污去除装置
- 下一篇:一种制绒机补液装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的