[实用新型]用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件

说明书

用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件。本实用新型关于一种经封装的半导体装置结构，包含晶粒附接垫及配置邻近于晶粒附接垫的多个引线，每个引线有引线底表面和引线末端表面。半导体晶粒连接至晶粒附接垫，导电夹具附接至半导体晶粒的部分与多个引线的部分且包含至少一联结杆。封装本体囊封半导体晶粒、导电夹具、多个引线的部分、至少一联结杆的至少部分及晶粒附接垫的至少部分。每个引线末端表面曝露于封装本体的侧边表面上，至少一联结杆的末端表面曝露于封装本体的外侧。导电层置于每个引线末端表面上但未置于至少一联结杆的末端表面上。所解决技术问题是改善经封装的半导体装置结构的电性效能与可靠度。所达到技术效果为提供改善的经封装的半导体装置结构。

技术领域

本实用新型通常相关于电子元件，特别是关于经封装的半导体装置结构。

背景技术

在过去，经封装的功率半导体装置使用各种制造技术以沉积导电材料于导电引线框架的露出部。在离散功率半导体装置中，例如离散场效电晶体(FET)半导体装置或二极体半导体装置，制造业者使用矩阵引线框架，其通常包含晶粒附接垫的阵列，每个晶粒附接垫具有相邻配置的多个引线但是所述多个引线与所述晶粒附接垫隔离。半导体晶粒被附接至所述晶粒附接垫并且使用离散的、独立的或分离的连接结构(例如导线接合互连或夹具)电性地连接至所述引线。此子组件接着被囊封以提供模制封装本体给每个半导体晶粒。接着，所述囊封子组件被放置在电镀设备中并且导电材料被电镀到所述导电引线框架的露出的表面上。在所述电镀过程中，电流通过导电引线，其减少用以形成薄连续金属镀膜于所述导电引线框架的露出的表面上的溶解的金属阳离子。

过去的方法有一个问题是，为了使电流通过整个导电引线框架，来自引线框架的相邻部分的某些引线必须结合在一起。在所述电镀制程之后，所述个别封装的半导体装置接着使用切割制程而被分隔开。所述切割制程分离所述结合的引线从而提供不具有电镀材料的引线面或侧翼(flank)表面。此留下不想要被露出的引线框架材料，其通常是铜。所述露出来的铜不与焊料附着，其产生较弱的焊料结合并且对于经组装的电子构件的可靠性有不利的影响。

试图去解决此问题，制造业者在所述结合的引线中凿孔洞、在所述结合的引线中产生半蚀刻区域或在所述结合的引线中使用侧边沟槽以提供覆盖有所述电镀材料的某些侧边表面或侧翼表面。虽然这些方案使得引线面的侧边或侧翼表面具有大约20％到60％之间的可附着表面覆盖率，然而这些方案无法提供100％的覆盖率，并且因此还是产生劣质焊料结合。再者，这些方案无法提供所述组装电路板层级(assembly board level)所需的足够坚固的焊料结合保护以满足严格的汽车规格，其需要100％可附着的侧覆盖率。

因此，还是期望能有一种提供经封装的半导体装置结构，其具有改善的所述引线的侧边和侧翼表面的所述可附着表面覆盖率。

实用新型内容

本实用新型所欲解决的技术问题是改善经封装的半导体装置结构的电性效能与可靠度。

根据本实用新型的一态样，一种经封装的半导体装置结构，包含：晶粒附接垫；多个引线，其配置邻近于所述晶粒附接垫，每个引线具有引线底表面和引线末端表面；半导体晶粒，其耦合至所述晶粒附接垫；导电夹具，其附接至所述半导体晶粒的部分且附接至所述多个引线的部分，其中所述导电夹具包含至少一个联结杆；封装本体，其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述至少一个联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分，其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上，且其中所述至少一个联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及导电层，其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述至少一个联结杆的所述末端表面上。

在一实施例中，所述经封装的半导体装置结构进一步包括导电连接结构，其电性连接所述半导体晶粒的另一部分至所述多个引线的中的一个。

在一实施例中，所述晶粒附接垫的底表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及所述导电层配置在所述晶粒附接垫的所述底表面上。