[实用新型]用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件有效
申请号: | 201720913871.1 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN207338306U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 明姚祥;莫哈末·哈斯卢·滨·朱基菲 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 联动 导电 连接 组件 封装 半导体 装置 结构 | ||
1.一种经封装的半导体装置结构,其特征在于,包含:
晶粒附接垫;
多个引线,其配置邻近于所述晶粒附接垫,每个引线具有引线底表面和引线末端表面;
半导体晶粒,其耦合至所述晶粒附接垫;
导电夹具,其附接至所述半导体晶粒的部分且附接至所述多个引线的部分,其中所述导电夹具包含至少一个联结杆;
封装本体,其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述至少一个联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分,其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上,且其中所述至少一个联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧;以及
导电层,其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述至少一个联结杆的所述末端表面上。
2.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构,其特征在于,进一步包括导电连接结构,其电性连接所述半导体晶粒的另一部分至所述多个引线的中的一个。
3.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构,其特征在于,
所述晶粒附接垫的底表面被曝露于所述封装本体的外侧;以及
所述导电层配置在所述晶粒附接垫的所述底表面上。
4.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构,其特征在于,所述导电层配置在所述多个引线的每个引线底表面上。
5.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构,其特征在于,所述导电层100%覆盖所述每个引线末端表面。
6.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构,其特征在于,所述导电层包含锡。
7.一种经封装的半导体装置结构,其特征在于,包括:
晶粒附接垫;
多个引线,其配置邻近于所述晶粒附接垫,每个引线具有引线底表面和引线末端表面;
半导体晶粒,其耦合至所述晶粒附接垫;
导电夹具,其附接至所述半导体晶粒且附接至所述多个引线中的一个或多个引线,其中所述导电夹具包含第一联结杆,所述第一联结杆附接至所述导电夹具的第一侧边;
封装本体,其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述第一联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分,其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上,且其中所述第一联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧;以及
导电层,其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述第一联结杆的所述末端表面上。
8.根据权利要求7的经封装的半导体装置结构,其特征在于,
所述晶粒附接垫的底表面和所述引线底表面被曝露于所述封装本体的外侧;以及
所述导电层配置在所述晶粒附接垫的所述底表面上且配置在所述引线底表面上。
9.根据权利要求8的经封装的半导体装置结构,其特征在于,
所述导电夹具包括第二联结杆,所述第二联结杆附接至所述导电夹具的与所述第一侧边相对的第二侧边;
所述第二联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧;以及
所述导电层不配置在所述第二联结杆的末端表面上。
10.根据权利要求9的经封装的半导体装置结构,其特征在于,
所述导电层100%覆盖所述每个引线末端表面;以及
所述第一联结杆的所述末端表面被曝露于所述封装本体的未有引线曝露的侧边表面上。
11.一种经封装的半导体装置子组件,其特征在于,包括:
第一导电框架结构包含:
第一晶粒附接垫;
第二晶粒附接垫,其与所述第一晶粒附接垫分隔开;
第一引线,其配置邻近所述第一晶粒附接垫;以及
第二引线,其配置邻近所述第二晶粒附接垫;
第一半导体晶粒,其附接至所述第一晶粒附接垫;
第二半导体晶粒,其附接至所述第二晶粒附接垫;
第二导电框架结构包含:
第一导电夹具结构,其附接至所述第一半导体晶粒且附接至所述第一引线;以及
第二导电夹具结构,其附接至所述第二半导体晶粒,其中所述第一导电夹具结构以联结杆结构来物理性地互连至所述第二导电夹具结构;以及
封装本体,其囊封所述第一半导体晶粒、所述第一导电夹具结构、所述第二半导体晶粒、所述第二导电夹具结构以及所述联结杆结构的至少部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾马克科技公司,未经艾马克科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720913871.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型电机控制器电容安装结构
- 下一篇:交流高压真空断路器结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造