[实用新型]一种校准晶圆有效
申请号: | 201720883538.0 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN206907745U | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 李强 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 陈薇 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 校准 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆,具体涉及一种校准晶圆。
背景技术
目前半导体行业机台基准位置的校准是采用肉眼辨别,比如说用于制程生产的静电吸附盘(ESC)是一个圆形,晶圆也是一个圆形,只有做到静电吸盘的圆心与晶圆的圆心重合才是最好的,其中机台基准位置的校准就是使静电吸盘的圆心与晶圆的圆心重合;当然在机台上有很多承载晶圆并运送晶圆的装置,这些都需要将机台和晶圆的圆心重合才是标准。而现有机台基准位置的校准是采用的是标准校准晶圆,然后用肉眼辨别标准校准晶圆的圆心是否与机台的基准位置重合,这样会存在很大的误差,校准精度差;同时现有机台基准位置的校准是在真空状态下进行的,会存在对比度的失真,影响校准结果;另外机台基准位置校准后的数据需要手动计算数值后输入至机台的配置中,其手动校准复杂、效率低。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种校准晶圆,其校准过程简单、校准效率高和校准精度高。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种校准晶圆,包括第一晶圆本体,所述第一晶圆本体上集成有多个用于感应第一晶圆本体对应位置坐标的光电感应器,还包括信号发射器和电池,所述信号发射器分别与多个所述光电感应器电连接,用于将多个所述光电感应器感应的第一晶圆本体对应位置坐标电信号发送给机台,所述电池分别与所述信号发射器和多个所述光电感应器电连接,用于给所述信号发射器和多个所述光电感应器供电。
本实用新型的有益效果是:本实用新型一种校准晶圆,在第一晶圆本体上集成用于感应第一晶圆本体对应位置坐标的光电感应器,这样光电传感器就会在第一晶圆本体上形成相对于第一晶圆本体圆心位置的坐标,光电传感器设计的越小那第一晶圆本体上就会有更多的光电传感器,并且精度就越高,光电传感器被触发后就可以将第一晶圆本体对应位置坐标的电信号通过信号发射器发送给机台,机台端可以利用预设的公式计算出发送来的对应位置坐标的电信号算出的第一晶圆本体的圆心位置,将计算出的第一晶圆本体的圆心和机台的理论圆心位置算出偏差就可以实现机台基准位置的自动校准,校准精度高,且在真空状态下进行没有对比度的失真,可以保证机台基准位置的校准精度;另外,机台基准位置校准后的数据可以直接写入机台中,自动计算出偏差,这样无需增加复机时间就可以实现定期的自动校准。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进。
进一步,所述信号发射器和电池均集成在所述第一晶圆本体上。
进一步,还包括第二晶圆本体,所述信号发射器和电池集成在所述第二晶圆本体上,所述第二晶圆本体贴合在所述第一晶圆本体上构成一体结构,且所述信号发射器和电池分别与多个所述光电感应器通过导线电连接。
采用上述进一步方案的有益效果是:信号发射器和电池集成在第二晶圆本体上,可以为第一晶圆本体节约空间,这样在第一晶圆本体上就可以集成更多的光电感应器,光电感应器越多,其感应精度就越高。
进一步,所述光电感应器包括投光器、受光器和感应器,所述投光器用于将第一晶圆本体对应位置上的光线聚焦,所述受光器用于将接收所述投光器聚焦的光线并传递至所述感应器,所述感应器用于将接收到的聚焦的光线转化为位置坐标电信号,并传输给所述信号发射器。
进一步,所述电池为采用无线充电结构的可充电电池。
附图说明
图1为本实用新型一种校准晶圆的一种结构示意图;
图2为本实用新型型一种校准晶圆的另一种结构示意图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、第一晶圆本体,2、光电感应器,3、信号发射器,4、电池,5、第二晶圆本体。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示,一种校准晶圆,包括第一晶圆本体1,所述第一晶圆本体1上集成有多个用于感应第一晶圆本体对应位置坐标的光电感应器2,还包括信号发射器3和电池4,所述信号发射器3分别与多个所述光电感应器2电连接,用于将多个所述光电感应器感应2的第一晶圆本体1对应位置坐标电信号发送给机台,所述电池4分别与所述信号发射器3和多个所述光电感应器2电连接,用于给所述信号发射器3和多个所述光电感应器2供电。在本具体实施例中,所述信号发射器3和电池4均集成在所述第一晶圆本体1上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造