[实用新型]一种晶振的散热封装结构

说明书

技术领域：

本实用新型涉及晶振封装领域，特别涉及一种晶振的散热封装结构。

背景技术：

晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片)，石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。晶振电路基于pcb层直接走线封装。

当应用于pcb设计时，往往pcb上存在各种不同的热源。此时如果晶振的布局离热源过近，直接导致热源通过pcb将温度耦合到晶振下面的pcb焊盘上，直接影响晶振的温度环境，从而影响晶振输出时钟频率的稳定性。

晶振Pcb的线路，采用直接打孔连到晶振电路上，这种直接连接的方式会导致热源过快的通过pcb过孔，将温度快速耦合到晶振电路上，直接影响晶振的温度环境，从而影响晶振输出时钟频率的稳定性。

实用新型内容：

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

为此，本实用新型其解决技术问题所采用的技术方案是：一种晶振的散热封装结构，包括：晶片，以及封装晶片的外壳，晶片呈长方形，且晶片的顶面的四个角均各涂覆有一块导电银层，晶片的其中一个角的导电银层上连接有第一导线，位于连接有第一导线的导电银层对角位置处的导电银层上连接有第二导线。

作为优选，第二导线从与连接有第一导线的导电银层和连接有第二导线的导电银层均为相邻的导电银层位置处伸入，且第二导线呈蛇形管状弯曲。

作为优选，第二导线呈多次迂回的盘状，第二导线的迂回次数为大于3的奇数次。

作为优选，第二导线的盘状结构之间的间隙为第二导线宽度的 2～3倍。

作为优选，第二导线的迂回方向为横向。

作为优选，第二导线的迂回方向为从与连接有第一导线的导电银层和连接有第二导线的导电银层均为相邻的导电银层向连接有第一导线的导电银层。

作为优选，第二导线的迂回弯折位置处与相近的导电银层之间的间距大于第二导线的宽度。

作为优选，外壳内填充有导热硅脂，外壳为金属外壳。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型将线路分为第一导线和第二导线，再将第二导线加工成蛇形管状的迂回结构，使得第二导线可以在接入导电银层之前尽可能的延长长度与封装内的导热硅脂接触，从而进行散热，而又保留了足够的间隙使得不会互相干扰，通过上述晶振的特殊封装设计方式，可有效保护晶振本体对热的干扰降到最低，使得晶振工作在稳定的温度环境下，输出稳定的时钟信号。

附图说明：

图1为本实用新型的晶片的结构示意图；

图中：晶片1；导电银层2；第一导线3；第二导线4。

具体实施方式：

实施例1：如图1所示的一种晶振的散热封装结构，包括：晶片 1，以及封装晶片1的外壳，晶片1呈长方形，且晶片1的顶面的四个角均各涂覆有一块导电银层2，晶片1的其中一个角的导电银层2 上连接有第一导线3，位于连接有第一导线3的导电银层2对角位置处的导电银层2上连接有第二导线4。

第二导线4从与连接有第一导线3的导电银层2和连接有第二导线的导电银层2均为相邻的导电银层2位置处伸入，且第二导线4呈蛇形管状弯曲。

第二导线4呈多次迂回的盘状，第二导线4的迂回次数为大于3 的奇数次。

第二导线4的盘状结构之间的间隙为第二导线4宽度的2～3倍。

第二导线4的迂回方向为横向。

第二导线4的迂回方向为从与连接有第一导线3的导电银层2和连接有第二导线4的导电银层2均为相邻的导电银层2向连接有第一导线3的导电银层2。

第二导线4的迂回弯折位置处与相近的导电银层2之间的间距大于第二导线4的宽度。

外壳内填充有导热硅脂，外壳为金属外壳。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。