[实用新型]电路有效
| 申请号： | 201720873101.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN207516857U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | J·罗伊格-吉塔特;B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 电路 本实用新型 漏极 可切换元件 源极 串联连接晶体管 共源共栅电路 技术效果 源极电压 改进 | ||
1.一种电路，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括源极和栅极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极和栅极，其中所述第一晶体管的源极耦接到所述第二晶体管的漏极；以及
可切换元件，所述可切换元件包括第一载流端子和第二载流端子，其中所述可切换元件的所述第一载流端子耦接到所述第一晶体管的栅极，并且所述可切换元件的所述第二载流端子耦接到所述第二晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述可切换元件包括第三晶体管，所述第三晶体管为场效应晶体管。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第三晶体管还包括栅极，该栅极耦接到所述第二晶体管的源极。
4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第三晶体管还包括栅极，该栅极耦接到所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的漏极。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电路，其中：
所述第一晶体管是耗尽型GaN HEMT；以及
所述第二晶体管是增强型SiMISFET。
6.根据权利要求2至4中的任一项所述的电路，其中：所述第三晶体管是耗尽型SiMISFET或GaN HEMT。
7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第三晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源极。
8.根据权利要求6所述的电路，其中所述第三晶体管的栅极电连接到所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的漏极。
9.根据权利要求1所述的电路，还包括第一无源部件和第二无源部件，其中：
所述第一无源部件耦接在所述可切换元件的所述第二载流端子和所述电路的控制端子之间；以及
所述第二无源部件耦接在所述可切换元件的所述第二载流端子和所述第二晶体管的栅极之间。
10.一种电路，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括源极和栅极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极、源极和栅极，其中所述第一晶体管的源极耦接到所述第二晶体管的漏极；以及
可切换元件，所述可切换元件耦接到所述第一晶体管的栅极并且包括第一可选择端子和第二可选择端子，其中所述可切换元件的所述第一可选择端子耦接到所述第二晶体管的源极，并且所述可切换元件的所述第二可选择端子耦接到所述第二晶体管的栅极。
11.根据权利要求10所述的电路，其中：
所述电路被配置为使得，在第一状态中，所述第一晶体管的栅极耦接到第一可选择端子，并且在第二状态中，所述第一晶体管的栅极耦接到所述第二可选择端子；
所述第一晶体管是耗尽型晶体管，并且所述第二晶体管是增强型晶体管；以及
所述第一晶体管是GaN HEMT，并且所述第二晶体管是Si晶体管。
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