[实用新型]一种改进型高功率二极管

权利要求书

1.一种改进型高功率二极管，包括底板（1）、设于底板（1）的外壳（2）、设于底板（1）的芯片部（3）以及依次设于底板（1）的第一引脚（4）、第二引脚（5）和第三引脚（6），所述第一引脚（4）与第三引脚（6）均设有焊接部（7），第二引脚（5）与底板（1）连接，其特征在于：所述外壳（2）边沿处开设有第一缺口（8）和第二缺口（9），所述第一缺口（8）位于第一引脚（4）与第二引脚（5）之间，所述第二缺口（9）位于第二引脚（5）与第三引脚（6）之间；所述芯片部（3）设有至少两个芯片（10），该至少两个芯片（10）均与其所对应的焊接部（7）通导线电连接；所述底板（1）的一端设有散热部（11），该散热部（11）的厚度小于底板（1）的厚度；所述底板（1）下表面与第一引脚（4）上表面之间的距离为0.68至0.87cm。

2.根据权利要求1所述的一种改进型高功率二极管，其特征在于：所述至少两个芯片（10）阵列排布于所述芯片部（3）。

3.根据权利要求1所述的一种改进型高功率二极管，其特征在于：所述底板（1）开设有连接孔（12）。

4.根据权利要求1所述的一种改进型高功率二极管，其特征在于：所述外壳（2）由塑封料注塑成型。