[实用新型]一种包覆型芯片尺寸封装结构

权利要求书

1.一种包覆型芯片尺寸封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），所述硅基本体（111）的正面设置钝化层（210）并开设钝化层开口（213），所述芯片电极（113）由背面嵌入硅基本体（111）的正面，所述钝化层开口（213）露出芯片电极（113）的正面，

其特征在于，所述钝化层（210）的上表面设置介电层Ⅰ（310）并开设介电层Ⅰ开口（311），所述介电层Ⅰ开口（311）露出芯片电极（113）的正面，所述介电层Ⅰ（310）不覆盖到钝化层（210）的边缘；

所述芯片电极（113）的上表面设置凸块底部金属，所述凸块底部金属由下而上依次包括金属种子层Ⅰ（410）、金属层Ⅰ（510），并在金属层Ⅰ（510）上设置焊球（600）；

所述硅基本体（111）的四周和背面设置包封层Ⅰ（121），所述包封层Ⅰ（121）向上延展覆盖钝化层（210）的裸露部分，其上表面与介电层Ⅰ（310）的上表面齐平，所述包封层Ⅰ（121）为一体结构。

2.根据权利要求1所述的包覆型芯片尺寸封装结构，其特征在于：所述硅基本体（111）的侧壁是垂直的。

3.根据权利要求1所述的包覆型芯片尺寸封装结构，其特征在于： 所述硅基本体（111）的侧壁设有台阶。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的包覆型芯片尺寸封装结构，其特征在于：所述硅基本体（111）的背面设置硅基加强层（115）。

5.一种包覆型芯片尺寸封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），所述硅基本体（111）的正面设置钝化层（210）并开设钝化层开口（213），所述芯片电极（113）由背面嵌入硅基本体（111）的正面，所述钝化层开口（213）露出芯片电极（113）的正面，

其特征在于，所述钝化层（210）的上表面设置介电层Ⅰ（310）并开设介电层Ⅰ开口（311），所述介电层Ⅰ开口（311）露出芯片电极（113）的正面，所述介电层Ⅰ（310）不覆盖到钝化层（210）的边缘，其上依次覆盖金属种子层Ⅰ（410）、金属层Ⅰ（510）和介电层Ⅱ（320），所述介电层Ⅱ（320）开设介电层开口（321）露出金属层Ⅰ（510）；

所述金属层Ⅰ（510）的上表面设置凸块底部金属Ⅱ，所述凸块底部金属Ⅱ由下而上依次包括金属种子层Ⅱ（420）、金属层Ⅱ（520），并在金属层Ⅱ（520）上设置焊球（600）；

所述硅基本体（111）的四周和背面设置包封层Ⅱ（123），所述包封层Ⅱ（123）向上延展覆盖钝化层（210）的裸露部分，其上表面与介电层Ⅱ（320）的上表面齐平，所述包封层Ⅱ（123）为一体结构。

6.根据权利要求5所述的包覆型芯片尺寸封装结构，其特征在于：所述硅基本体（111）的侧壁是垂直的。

7.根据权利要求5所述的包覆型芯片尺寸封装结构，其特征在于： 所述硅基本体（111）的侧壁设有台阶。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的包覆型芯片尺寸封装结构，其特征在于：所述硅基本体（111）的背面设置硅基加强层（115）。