[实用新型]用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构有效
| 申请号： | 201720819461.0 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN207009439U | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张峰;温正欣;高怡瑞;李昀佶;申占伟;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京卓孚知识产权代理事务所(普通合伙)11523 | 代理人： | 李亚,刘光明 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区清河*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 半导体 功率 器件 复合 终端 结构 | ||
1.一种用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其特征在于，包括：
第一结终端扩展；
第二结终端扩展；
场限环；
所述第一结终端扩展和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第一重合区域；以及
所述场限环和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第二重合区域。
2.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其中，
所述第一结终端扩展的宽度比所述第二结终端扩展的宽度短，所述第一结终端扩展的深度比所述第二结终端扩展的深度深。
3.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其中，
所述场限环与所述第一结终端扩展同时形成，所述场限环与所述第一结终端扩展具有相同的掺杂浓度和深度。
4.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其中，
所述第一重合区域的宽度与所述第一结终端扩展的宽度相同，所述第一重合区域的掺杂浓度等于所述第一结终端扩展与所述第二结终端扩展的掺杂浓度之和；所述第二重合区域的宽度与所述场限环的宽度相同，所述第二重合区域的掺杂浓度等于所述第二结终端扩展与所述场限环的掺杂浓度之和。
5.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其中，
所述复合终端结构和主结在外延片上形成，所述复合终端结构与所述主结直接相连，与所述主结具有相同的掺杂类型。
6.根据权利要求5所述的用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其中，
所述第一结终端扩展与所述场限环的深度大于所述主结的深度，所述第二结终端扩展的深度小于所述主结的深度。
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