[实用新型]一种适用于大直径硅片表面处理的提篮

说明书

技术领域

本实用新型涉及硅片表面处理技术领域，更具体的是，本实用新型涉及一种适用于大直径硅片表面处理的提篮。

背景技术

硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大影响，它会造成扩散界面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n结反向漏电增大等。晶体缺陷有很多种，位错也是其中一种，位错是在晶体生长过程中原子排列错误造成的。对硅棒位错的检测主要是利用择优腐蚀，针对大尺寸单晶，无法进行硅棒表面进行择优腐蚀，只能对硅片表面进行处理。如何尽量保证硅片完整，在不影响观测的前提下，对硅片尽量完整的分割是亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型设计开发了一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，能够对大尺寸硅片表面进行处理，保证硅片的完整性，也不影响观测。

本实用新型提供的技术方案为：

一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，包括：

底板；以及

支撑板，垂直设置在所述底板两侧；

支撑架，垂直所述底板和支撑板，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上；

排气孔，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。

优选的是，还包括通气管道，其平行设置在所述底板下方，所述通气管道的出气口与所述排气孔对应，所述通气管道的入气口通向外部，与所述支撑板垂直。

优选的是，所述支撑架包括交叉设置的支撑条。

优选的是，所述支撑架为网格状结构。

优选的是，所述支撑板上设置有提手。

优选的是，所述通气管道内通入气体为惰性气体。

优选的是，所述支撑架之间的间距为10～50mm。

优选的是，所述支撑板的高度为200～300mm。

优选的是，还包括酸箱，其尺寸与所述提篮的尺寸相对应。

本实用新型所述的有益效果为：

本实用新型所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，所述支撑架采用交叉设置的支撑条或者为网格状结构，增大了酸液与硅片的接触面积，所述底板上设置有排气孔，其下方对应设置有通气管道，通过向通气管道内通入惰性气体，使酸液内产生大量的气泡，使其进行搅动，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力，所述支撑架为多个，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上，可以一次处理多块硅片，提高处理效率。

附图说明

图1为本实用新型所述适用于大直径硅片表面处理的提篮的结构示意图。

图2为本实用新型所述酸箱的结构示意图。

图3为本实用新型所述硅片的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

本实用新型可以有许多不同的形式实施，而不应该理解为限于再次阐述的实施例，相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的。在附图中，为了清晰起见，会夸大结构和区域的尺寸和相对尺寸。

如图1-3所示，本实用新型提供一种适用于大直径硅片表面处理的提篮100，包括：底板110；以及支撑板120A、120B，垂直设置在所述底板110两侧；支撑架130，垂直所述底板110和支撑板120，横向平行排列固定在所述底板110和支撑板120上；排气孔140，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。还包括通气管道150，其平行设置在所述底板110下方，所述通气管道150的出气口与所述排气孔140对应，所述通气管道150的入气口151通向外部，与所述支撑板120A垂直。所述支撑架130包括交叉设置的支撑条131，可以让更多的溶液接触硅片表面。当然，所述支撑架130并不限于上述结构，也可以为网状结构，硅片同样能与更多的溶液接触。其他能满足上述目的结构均可。所述支撑板120A、120B上设置有提手160，方便操作者对其进行提取和放置。还包括酸箱170，其尺寸与所述提篮的尺寸相对应。所述通气管道150内通入气体为惰性气体，通过通气管道150输入惰性气体，使得酸箱170中的溶液内部产生大量的气泡，使酸箱内的溶液进行搅动，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力。所述支撑架之间的间距为10～50mm，所述支撑板的高度为200～300mm。适用于17英寸以上的硅片，能够对大尺寸硅片表面进行处理。应当理解的是，本实用新型所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮100并不限于上述尺寸，只要能满足生产需要即可。