[实用新型]一种适用于大直径硅片表面处理的提篮有效
| 申请号： | 201720810733.0 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN207052575U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 秦朗;李昀珺;何翠翠 | 申请（专利权）人： | 锦州神工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 周明飞 |
| 地址： | 121001 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 直径 硅片 表面 处理 提篮 | ||
1.一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，包括：
底板；以及
支撑板，垂直设置在所述底板两侧；
支撑架，垂直所述底板和支撑板，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上；
排气孔，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。
2.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，还包括通气管道，其平行设置在所述底板下方，所述通气管道的出气口与所述排气孔对应，所述通气管道的入气口通向外部，与所述支撑板垂直。
3.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述支撑架包括交叉设置的支撑条。
4.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述支撑架为网格状结构。
5.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述支撑板上设置有提手。
6.如权利要求2所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述通气管道内通入气体为惰性气体。
7.如权利要求1-6任意一项所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述支撑架之间的间距为10～50mm。
8.如权利要求1-6任意一项所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述支撑板的高度为200～300mm。
9.如权利要求1-6任意一项所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，还包括酸箱，其尺寸与所述提篮的尺寸相对应。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
