[实用新型]一种近红外VCSEL激光器的外延结构有效
| 申请号： | 201720776833.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN206864867U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张永 | 申请（专利权）人： | 张永 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/183;H01S5/32 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 vcsel 激光器 外延 结构 | ||
1.一种近红外VCSEL激光器的外延结构，包括GaAs衬底（01），在GaAs衬底（01）上依次沉积有GaAs 缓冲层（02）、N型掺杂的DBR（ 03）、有源层（04）、氧化限制层（05）、P型掺杂的DBR（ 06）和欧姆接触层（07），所述有源层（04）由下向上依次包括限制层（10），波导层（11）、量子阱（12）、对称波导层（13）和对称限制层（14），所述量子阱（12）由多组量子阱层组成，其特征在于：相邻两组量子阱层之间设有厚垒层，所述厚垒层的厚度为大于50nm。
2.根据权利要求1所述的近红外VCSEL激光器的外延结构，其特征在于：所述厚垒层的厚度为50-100nm。
3.根据权利要求1所述的近红外VCSEL激光器的外延结构，其特征在于：所述量子阱（12）内插有1-5层厚垒层。
4.根据权利要求1所述的近红外VCSEL激光器的外延结构，其特征在于：所述量子阱（12）中量子阱层的阱厚度为3nm，垒厚度为6nm。
5.根据权利要求4所述的近红外VCSEL激光器的外延结构，其特征在于：所述量子阱（12）包括第一量子阱层（121）、第一厚垒层（122）、第二量子阱层（123）、第二厚垒层（124）及第三量子阱层（125），所述第一量子阱层（121）包括两组3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 垒，所述第一厚垒层（122）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 垒，所述第二量子阱层（123）包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 垒、3nmIn0.12Ga0.88As阱，所述第二厚垒层（124）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 垒，所述第三量子阱层（125）包括两组3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 垒。
6.根据权利要求4所述的近红外VCSEL激光器的外延结构，其特征在于：所述量子阱（12）包括第一量子阱层（1210）、第一厚垒层（1220）、第二量子阱层（1230）、第二厚垒层（1240）及第三量子阱层（1250），所述第一量子阱层（1210）包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 垒、3nmIn0.12Ga0.88As阱，所述第一厚垒层（1220）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 垒，所述第二量子阱层（1230）包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As垒、3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As垒、3nmIn0.12Ga0.88As阱，所述第二厚垒层（1240）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 垒，所述第三量子阱层（1250）包括包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 垒、3nmIn0.12Ga0.88As阱。
7.根据权利要求1所述的近红外VCSEL激光器的外延结构，其特征在于：GaAs衬底需要具有7-15度的偏向角。
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