[实用新型]一种用于辅助基底溶剂热生长的支架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于辅助基底溶剂热生长的附件，具体的说，涉及一种用辅助基底溶剂热生长的支架。

背景技术

目前，利用溶剂热反应将氧化物、硫化物、氮化物等长于基底上的研究方法越来越热门，但却没有一种用于支撑基底的支架，这造成了要么一次只能在一个基底上生长，获得生长完备的基底成片率低；而当多个样品同时至于反应釜中进行溶剂热生长反应时，基底会因为反应釜的移动、溶剂热反应过程中的温度变化和机械震动而发生滑落，造成基底溶剂热生长的失败或生长不完备。因此通过技术手段，在不影响基底生长的同时，提高单釜中生长完备的基底成片率为本领域迫切需要解决的技术问题。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种能有效防止基底滑落，实现单釜多个基底同时进行溶剂热生长反应的支架。

本实用新型的技术方案具体介绍如下。

本实用新型提供一种用于辅助基底溶剂热生长的支架，其包括底座、提手和卡槽；提手和底座垂直设置，底座的上表面向下设置凹槽，凹槽有若干个，每个凹槽的两侧壁相互平行，两侧壁上设置卡槽，卡槽的开口相对，卡槽和水平面之间形成夹角a，其大于0度小于180度。

本实用新型中，底座呈圆柱体状。

本实用新型中，提手为棒状。

本实用新型中，凹槽的底部呈长方形。

本实用新型中，卡槽的截面为类U型。

和现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

1、具有操作简单，只需将基底置于卡槽内即可；

2、基底被固定在底座上，可有效防止氧化物、硫化物、氮化物等在基底上生长过程中的滑落；

3、多个样品同时进行溶剂热生长反应，可以大大提高提高单釜中生长完备的基底成片率等优点。

附图说明

图1 是本实用新型的三维立体图。

图2是本实用新型的俯视图。

图3是本实用新型的主视图。

图4 是本实用新型的侧视图。

图5是本实用新型的结构示意图。

图6是本实用新型的结构的A-A剖面图。

图7是本实用新型的结构的B-B剖面图。

图中标号：1-底座，2-提手，3-卡槽，4-基底。

具体实施方式

下面通过附图具体实施例来对本实用新型做进一步的说明。

实施例1

图1 本实用新型的三维立体图，图2、图3、图4 为该实用新型的俯视图、主视图和侧视图，图5为该实用新型的结构示意图，图6为图5的结构的A-A剖面图，图7为图5的结构的B-B剖面图。结合上述附图，本实用新型提供一种用于辅助基底溶剂热生长的支架，其包括底座1、提手2和卡槽3；底座1为聚四氟乙烯材质；提手2为棒状，其和底座1焊合，相互垂直设置，固成一体。底座1的上表面向下设置若干凹槽，凹槽的底面为长方形，每个凹槽的两侧壁相互平行，两侧壁上设置卡槽3，卡槽3的开口相对，卡槽3和水平面之间形成夹角a，其大于0度小于180度。

如图7所示，当进行溶剂热生长试验时，基底4放在凹槽内，和卡槽3相配合，然后将支架放入聚四氟乙烯内衬中，即可进行反应。基底4通过卡槽3被固定在底座1上，可有效防止氧化物、硫化物、氮化物等在基底4上生长过程中的滑落；同时其结构使得多个样品可同时进行溶剂热生长反应，大大提高提高单釜中生长完备的基底4的成片率。