[实用新型]一种双芯片叠加二极管有效
申请号: | 201720772087.3 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN206864465U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 林茂昌;方强;刘文松 | 申请(专利权)人: | 上海金克半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/495 |
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地址: | 201108 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 叠加 二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域,具体是一种双芯片叠加二极管。
背景技术
二极管是电子元件当中一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。
现有的二极管一般都是单芯片结构,性能和功率较低,在一些特定场合中达不到使用需求。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种双芯片叠加二极管,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种双芯片叠加二极管,包括第一铜框架、第二铜框架和芯片,所述第一铜框架和第二铜框架之间设有叠加的两个芯片,第一铜框架、第二铜框架以及两个芯片紧贴在一起,且芯片均被封装在防护壳之内。
作为本实用新型进一步的方案:所述第一铜框架和第二铜框架均由承载部和支撑部组成,支撑部为片状结构,承载部为“匚”形结构,承载部的顶端向上或向下延伸形成水平的支撑部,两个芯片处于两个承载部之间。
作为本实用新型再进一步的方案:承载部和芯片均被封装在防护壳之内。
作为本实用新型再进一步的方案:所述防护壳为黑胶体。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:叠加的两个芯片能提升二极管的功率,性能得到极大的提升,第一铜框架和第二铜框架的设计能对芯片形成良好的支撑防护。
附图说明
图1为一种双芯片叠加二极管的结构示意图。
图中:1-第一铜框架、2-第二铜框架、3-黑胶体、4-芯片、201-承载部、202-支撑部。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种双芯片叠加二极管,包括第一铜框架1、第二铜框架2和芯片4,所述第一铜框架1和第二铜框架2之间设有叠加的两个芯片4,第一铜框架1、第二铜框架2以及两个芯片4紧贴在一起,且芯片4被封装在防护壳之内。
所述第一铜框架1和第二铜框架2均由承载部201和支撑部202组成,支撑部202为片状结构,承载部201为“匚”形结构,承载部201的顶端向上或向下延伸形成水平的支撑部202,两个芯片4处于两个承载部201之间,完成对芯片4的固定。
承载部201和芯片4均被封装在防护壳之内。
所述防护壳为黑胶体3。
本实用新型的工作原理是:叠加的两个芯片4能提升二极管的功率,例如两个3000W的芯片叠加之后,其功率可达5000W以上,性能得到极大的提升,第一铜框架1和第二铜框架2的设计能对芯片4形成良好的支撑防护。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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