[实用新型]一种二氧化硅膜的热氧化装置

说明书

本实用新型公开了一种二氧化硅膜的热氧化装置，包括顶盖和底座，所述底座上设置有圆柱形的加热体，且所述加热体分为上下两部分，且加热体下半部固定在底座上，所述加热体内圈壁中均匀设置有内嵌电阻丝，所述加热体内部套装有圆柱形的蓄热传导体，所述蓄热传导体内部中间对称设置有两块热电偶，所述蓄热传导体内部套装有石英管，所述石英管两端延伸出底座两侧，所述石英管两端均安装有密封法兰盘，左端所述法兰盘的右侧设置有滤腔，所述滤腔的顶部设置有通水管，所述滤腔右侧边界设置有半透膜层，所述法兰盘中间设置有象鼻管，所述石英管在蓄热传导体的两侧边界处设置有内突圈，所述内突圈弧度为石英管周长的一半。

技术领域

本实用新型涉及二氧化硅膜制备技术领域，具体为一种二氧化硅膜的热氧化装置。

背景技术

在微电子工业中，SiO2薄膜也可采用CVD或者LPCV方法沉积，但热氧化法制备的SiO2薄膜具有结构致密、均匀性和重复性好、电特性最佳与光刻胶粘附性好等优点，是制备半导体器件关键部分的高质量SiO2薄膜的常用方法，而在热氧化法制备二氧化硅膜的制备过程中，普遍存在制备效率不高的问题，其基本原理是氧化气体源从一端炉口通入加热炉内，在900-1200℃的高温下，氧化剂分子向硅晶片内扩散并与硅晶片表面发生化学反应，生成SiO2薄膜，氧化物的生长主要有两个过程决定，一个是氧化剂经由氧化层向硅表面扩散的过程，一个是氧化剂与Si表面的化学反应过程，而硅的表面反应是限制其硅膜生成的主要因素，而现有的热氧化装置，只是通过对反应物进行煅烧，提供自然反应，从而很难达到很好的制备效果。

实用新型内容

为了克服现有技术方案的不足,本实用新型提供一种二氧化硅膜的热氧化装置，包括顶盖和底座，所述底座上设置有圆柱形的加热体，且所述加热体分为上下两部分，且加热体下半部固定在底座上，所述加热体内圈壁中均匀设置有内嵌电阻丝，所述加热体内部套装有圆柱形的蓄热传导体，所述蓄热传导体内部中间对称设置有两块热电偶，所述蓄热传导体内部套装有石英管，所述石英管两端延伸出底座两侧，所述石英管两端均安装有密封法兰盘，所述法兰盘中间设置有象鼻管，左端所述法兰盘的右侧设置有滤腔，所述滤腔的顶部设置有通水管，所述滤腔右侧边界设置有半透膜层，所述石英管在蓄热传导体的两侧边界处设置有内突圈，所述内突圈弧度为石英管周长的一半。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述顶盖和底座活动连接在一起，且可实现开合。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述加热体的上下两部分通过铰接轴连接在一起。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述内嵌电阻丝和热电偶通过电性连接有PLC控制器，且通过市电供电。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述内嵌电阻丝成发夹弯状层叠，且和蓄热传导体外圈表面接触。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述顶盖和加热体的上半部均设置有握把，所述加热体为陶瓷材质。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过设置湿性的氧气反应环境，提高同温度下硅膜的反应效率，通过加热层的发夹弯紧贴蓄热传导体，提供很好的持续加热状态，同时又避免直接加热石英管造成的热过量，通过设置内突圈的阻挡作用，实现内部的热循环状态，使得其表面反应更加充分。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型加热体剖面结构示意图。

图中：1-顶盖；2-石棉复合板；3-气孔；4-加热体；5-蓄热传导体；6-握把；7-底座；8-内突圈；9-石英管；10-密封法兰盘；11-象鼻管；12-热电偶；13-内嵌电阻丝；14-铰接轴；15-通水管；16-滤腔；17-半透膜层。

具体实施方式