[实用新型]一种二氧化硅膜的热氧化装置有效
| 申请号： | 201720747957.1 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207338310U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王金平 | 申请（专利权）人： | 王金平 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 311800 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 氧化 装置 | ||
1.一种二氧化硅膜的热氧化装置，其特征在于：包括顶盖(1)和底座(7)，所述底座(7)上设置有圆柱形的加热体(4)，且所述加热体(4)分为上下两部分，且加热体(4)下半部固定在底座(7)上，所述加热体(4)内圈壁中均匀设置有内嵌电阻丝(13)，所述加热体(4)内部套装有圆柱形的蓄热传导体(5)，所述蓄热传导体(5)内部中间对称设置有两块热电偶(12)，所述蓄热传导体(5)内部套装有石英管(9)，所述石英管(9)两端延伸出底座(7)两侧，所述石英管(9)两端均安装有密封法兰盘(10)，所述法兰盘(10)中间设置有象鼻管(11)，左端所述法兰盘(10)的右侧设置有滤腔(16)，所述滤腔(16)的顶部设置有通水管(15)，所述滤腔(16)右侧边界设置有半透膜层(17)，所述石英管(9)在蓄热传导体(5)的两侧边界处设置有内突圈(8)，所述内突圈(8)弧度为石英管(9)周长的一半。
2.根据权利要求1所述的一种二氧化硅膜的热氧化装置，其特征在于：所述顶盖(1)和底座(7)活动连接在一起，且可实现开合。
3.根据权利要求1所述的一种二氧化硅膜的热氧化装置，其特征在于：所述加热体(4)的上下两部分通过铰接轴(14)连接在一起。
4.根据权利要求1所述的一种二氧化硅膜的热氧化装置，其特征在于：所述内嵌电阻丝(13)和热电偶(12)通过电性连接有PLC控制器，且通过市电供电。
5.根据权利要求1所述的一种二氧化硅膜的热氧化装置，其特征在于：所述内嵌电阻丝(13)成发夹弯状层叠，且和蓄热传导体(5)外圈表面接触。
6.根据权利要求1所述的一种二氧化硅膜的热氧化装置，其特征在于：所述顶盖(1)和加热体(4)的上半部均设置有握把(6)，所述加热体(4)为陶瓷材质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
