[实用新型]一种DFN2510高密度框架

权利要求书

1.一种DFN2510高密度框架，包括矩形片状结构的框架，其特征在于，在框架上设有多个与DFN2510封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，在每个芯片安装部内包括8个相互独立的引脚焊接区，其中4个引脚焊接区为一组对称布置在芯片安置区的两侧，同侧的4个引脚焊接区分为2排布置，且2排引脚焊接区以芯片安装部的中心线对称布置，远离芯片安置区的引脚焊接区上还设有引脚槽支撑筋，所述引脚槽支撑筋延伸至芯片安装部之间设置的加强连筋处，并与加强连筋相连，所述引脚支撑筋和引脚焊接区的延伸方向错位布置。

2.根据权利要求1所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形，且所有芯片安装部的长边均与框架的短边平行布置。

3.根据权利要求1所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，所述芯片安置区由中部的凸起骨架分为第一芯片安置区和第二芯片安置区，所述第一芯片安置区和第二芯片安置区分别延伸向相对的芯片安装部的两侧边，所述芯片安置区为凸起骨架和芯片安装部的边框包围的区域。

4.根据权利要求3所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，所述引脚焊接区的延伸方向与第一芯片安置区或第二芯片安置区的延伸方向相同，在芯片安置区靠近芯片安装部侧边的位置设有收窄间隙，即芯片安置区的凸起骨架的宽度变窄。

5.根据权利要求4所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，所述引脚焊接区与芯片安装部的侧边之间也设有收窄间隙，即引脚焊接区的凸起骨架的宽度变窄。

6.根据权利要求1所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，在芯片安装部的背面还设有背部凹槽。

7.根据权利要求1-6之一所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框护架，所述边框护架为半腐蚀结构，在边框护架上间隔设有镂空槽。

8.根据权利要求7所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，靠近边框的芯片安装部与边框护架连接，该芯片安装部一侧的引脚焊接区和芯片安置区延伸至边框护架上。

9.根据权利要求7所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，在边框护架和边框之间还设有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽，在横向边框切割道和竖向边框切割道上均设有用于相邻芯片安装部切割的定位槽。

10.根据权利要求9所述的DFN2510高密度框架，其特征在于，所述竖向边框切割道包括多个间隔设置的切割道掏空槽，还包括与横向连接筋对应设置的横向切割定位槽，在切割道掏空槽内设有加强的半腐蚀架板，在相邻的半腐架板之间连有加强筋，增强竖向边框切割道的强度。