[实用新型]一种硅基氮化镓功率器件有效
| 申请号： | 201720735791.1 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207068868U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王静辉;杨私私;李晓波;袁凤坡;白欣娇 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)13115 | 代理人： | 张建茹 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基氮化镓功率器件，包括由下到上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)以及外延层，其特征在于：所述的衬底(1)为曲率280-290km-1的硅，缓冲层(2)为40-60nm厚度的复合缓冲层，复合缓冲层包括至少一个复合层，复合层由AlN层和GaN层由下到上堆叠组成，缓冲层(2)上端面刻饰有下凹图形(4)，下凹图形(4)的深度小于缓冲层(2)厚度，外延层包括180-220nm厚度的GaN外延层(3)及其上端的280-320nm厚度的AlGaN外延层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种硅基氮化镓功率器件，其特征在于：所述的复合层中AlN层和GaN层的厚度依次增大。
3.根据权利要求1所述的一种硅基氮化镓功率器件，其特征在于：所述的缓冲层(2)厚度为50nm，GaN外延层(3)厚度为200nm，AlGaN外延层(5)厚度为300nm。
4.根据权利要求1所述的一种硅基氮化镓功率器件，其特征在于：所述的缓冲层(2)上端面的下凹图形(4)包括孔形或者条形中的至少一种，并且所有下凹图形(4)呈周期性排列。
5.根据权利要求1所述的一种硅基氮化镓功率器件，其特征在于：所述的缓冲层(2)中下凹图形(4)刻饰后形成凸出的呈周期性排列的柱形。
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