[实用新型]一种高增益双频天线单元

权利要求书

1.一种高增益双频天线单元，其特征在于，其包括辐射结构组、馈电带和反射地板，所述辐射结构组与所述反射地板连接导通形成电磁偶极子，所述辐射结构组包括对称设置的左辐射结构和右辐射结构，所述左辐射结构包括左辐射体和左短路壁，所述左辐射体设置在所述左短路壁的顶端且与左短路壁垂直所述右辐射结构包括右辐射体和右短路壁，所述右辐射体设置在所述右短路壁的顶端且与右短路壁垂直平行设置的所述左短路壁的底部与所述右短路壁的底部均与所述反射地板垂直连接，所述左短路壁和所述右短路壁相对平行设置，所述左短路壁和所述右短路壁之间具有第一间隙，所述第一间隙设有所述馈电带，所述馈电带与所述左短路壁之间具有第二间隙，所述馈电带与所述右短路壁之间具有第三间隙，所述左辐射体包括层叠设置且相互平行的左高频振子和左低频振子，所述右辐射体包括层叠设置且相互平行的右高频振子和右低频振子，所述左高频振子和右高频振子分别设置在所述左低频振子的上方和右低频振子的上方，所述左高频振子包括左高频辐射天线线路区和左高频振子窗口，所述左低频振子包括左低频辐射天线线路区和左低频振子窗口，所述左高频辐射天线线路区和左高频振子窗口分别与所述左低频振子窗口和左低频辐射天线线路区对应匹配使得所述左高频振子与所述左低频振子形成互补结构，所述右高频振子包括右高频辐射天线线路区和右高频振子窗口，所述右低频振子包括右低频辐射天线线路区和右低频振子窗口，所述右高频辐射天线线路区和右高频振子窗口分别与所述右低频振子窗口和右低频辐射天线线路区对应匹配使得所述右高频振子与所述右低频振子形成互补结构。

2.根据权利要求1所述的一种高增益双频天线单元，其特征在于，所述左高频辐射天线线路区和所述右高频辐射天线线路区均呈n字型，所述左高频辐射天线线路区包括左高频连接带，所述左高频连接带呈L字型，所述左高频连接带包括相互垂直的左高频平行连接带和左高频垂直连接带，所述左高频辐射天线线路区还包括基于左高频平行连接带一侧同向伸出的两个左高频振臂，所述左高频垂直连接带的两侧分别与所述左高频平行连接带的一侧和所述左短路壁的顶端连接；所述右高频辐射天线线路区包括右高频连接带，所述右高频连接带呈L字型，所述右高频连接带包括相互垂直的右高频平行连接带和右高频垂直连接带，所述右高频辐射天线线路区还包括基于右高频平行连接带一侧同向伸出的两个右高频振臂，所述右高频垂直连接带的两侧分别与所述右高频平行连接带的一侧和所述右短路壁的顶端连接。

3.根据权利要求2所述的一种高增益双频天线单元，其特征在于，所述左低频辐射天线线路区和所述右低频辐射天线线路区均呈E字型，所述左低频辐射天线线路区包括左低频连接带和基于左低频连接带同向伸出的三个左低频振臂，所述左低频振臂包括第一左低频振臂、第二左低频振臂和第三左低频振臂，所述第一左低频振臂和所述第三左低频振臂分别分布在所述第二左低频振臂的两侧，所述左低频连接带、第一左低频振臂、左短路壁和第三左低频振臂前后依次连接形成闭口环状所述右低频辐射天线线路区包括右低频连接带和基于右低频连接带一侧同向伸出的三个右低频振臂，所述右低频振臂包括第一右低频振臂、第二右低频振臂和第三右低频振臂，所述第一右低频振臂和所述第三右低频振臂分别分布在所述第二右低频振臂的两侧，所述右低频连接带、第一右低频振臂、右短路壁和第三右低频振臂前后依次连接形成闭口环状。

4.根据权利要求3所述的一种高增益双频天线单元，其特征在于，所述馈电带为类n型结构，所述馈电带包括第一馈电带、第二馈电带和第三馈电带，所述第一馈电带与所述右短路壁相对平行设置形成第三间隙，所述第三馈电带与所述左短路壁相对平行设置形成第二间隙，所述第二馈电带的两端分别与所述第一馈电带的顶端和所述第三馈电带的顶端连接，所述第二馈电带垂直于所述左短路壁和所述右短路壁，所述馈电带与所述反射地板之间具有避空间隙。

5.根据权利要求4所述的一种高增益双频天线单元，其特征在于，所述左高频垂直连接带上开有左窗口，所述右高频垂直连接带第二高频连接面上开有右窗口，所述左窗口与所述右窗口对称设置。

6.根据权利要求5所述的一种高增益双频天线单元，其特征在于，所述左短路壁两侧对称开设有左缝隙，所述右短路壁两侧对称开设有右缝隙，所述左缝隙与所述右缝隙对称设置，所述左缝隙和所述右缝隙均与所述反射地板垂直。

7.根据权利要求6所述的一种高增益双频天线单元，其特征在于，所述反射地板为长方形或者带翻边的长方形导体腔。