[实用新型]一种芯片的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种芯片的封装结构。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备本广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当前人们不可或缺的重要工具。

电子设备的发展趋势是小型化以及便携化。决定电子设备小型化以及便携化一个主要因素是电子设备中芯片的封装设计。传统的芯片封装方法通常是采用引线键合(Wire Bonding)进行封装，但随着集成电路的飞速发展，较长的引线使得产品尺寸无法达到理想的要求，因此，晶圆级封装(WLP：Wafer Level Package)逐渐取代引线键合封装成为一种较为常用的封装方法。晶圆级封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割成单颗芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。晶圆级封装具有以下的优点：能够对多个晶圆同时加工，封装效率高；在切割前进行整片晶圆的测试，减少了封装中的测试过程，降低测试成本；封装芯片具有轻、小、短、薄的优势。

现有的晶圆级封装方法中对芯片进行封装时，为了在封装过程中保护芯片表面不受损伤以及污染，通常需要在晶圆表面形成一个保护基板以保护晶圆，封装结束后，还需要将保护基板玻璃，最后切割封装后的晶圆得到多个单粒芯片的封装结构。

然而，现有技术预先将保护基板与晶圆剥离后，在后续切割等工艺步骤中仍可能导致芯片表面受到损伤以及污染，且芯片的封装结构的强度也较弱。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种芯片的封装结构，通过在待封装芯片的第一表面增加加强层，在保护基板去除后进行切割时，能够避免待封装芯片的表面受到损伤以及污染，且所述加强层还可以增加待封装结构的强度。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种芯片的封装结构，所述封装结构包括：

待封装芯片，所述待封装芯片包括相对的第一表面以及第二表面；所述第一表面具有感应区以及第一焊垫，所述第一焊垫与所述感应区电耦合；

覆盖所述待封装芯片的第一表面的加强层；

设置在所述待封装芯片的第二表面的焊接凸起，所述焊接凸起与所述第一焊垫电连接，且用于与外部电路电连接。

优选的，在上述封装结构中，所述加强层的硬度大于6H。

优选的，在上述封装结构中，所述加强层为有机材料或是无机材料。

优选的，在上述封装结构中，所述待封装芯片为电容式感应芯片，所述加强层的介电常数大于3，且所述加强层为绝缘材料。

优选的，在上述封装结构中，所述待封装芯片为感光型芯片，所述加强层为透明材料。

优选的，在上述封装结构中，所述加强层的透光率大于80％。

优选的，在上述封装结构中，所述加强层的厚度范围是2μm-40μm，包括端点值。

优选的，在上述封装结构中，还包括：设置在所述待封装芯片背离所述加强层一侧的补强层，所述补强层位于所述封装结构的最外侧。

优选的，在上述封装结构中，所述补强层可以为塑封胶。

优选的，在上述封装结构中，所述待封装芯片的第二表面设置有贯穿所述待封装芯片的过孔，所述过孔用于露出所述第一焊垫；

所述焊接凸起通过设置在所述过孔内的再布线层与所述第一焊垫电连接。

优选的，在上述封装结构中，所述过孔为暴露所述第一焊垫的双层台阶孔；

所述过孔包括：设置在所述待封装芯片第二表面的凹槽，所述凹槽深度小于所述待封装芯片的厚度；位于所述凹槽内，且贯穿所述待封装芯片的通孔，所述通孔与所述第一焊垫一一对应，所述通孔用于露出对应的所述第一焊垫。

优选的，在上述封装结构中，所述过孔为暴露所述第一焊垫的倒梯形孔；

所述过孔在由所述第一表面指向所述第二表面的方向上，所述过孔的孔径逐渐增大。

优选的，在上述封装结构中，所述过孔为暴露所述第一焊垫的直孔。

优选的，在上述封装结构中，所述待封装芯片侧壁具有倾斜切面，所述倾斜切面使得所述第二表面小于所述第一表面，以暴露部分所述第一焊垫；

所述焊接凸起通过设置在所述倾斜切面表面的再布线层与所述第一焊垫电连接。