[实用新型]一种芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201720692113.1 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN207250481U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;谢国梁;胡汉青 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 | ||
1.一种芯片的封装结构，其特征在于，包括：
待封装芯片，所述待封装芯片包括相对的第一表面以及第二表面；所述第一表面具有感应区以及第一焊垫，所述第一焊垫与所述感应区电耦合；
覆盖所述待封装芯片的第一表面的加强层；
设置在所述待封装芯片的第二表面的焊接凸起，所述焊接凸起与所述第一焊垫电连接，且用于与外部电路电连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述加强层的硬度大于6H。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述加强层为有机材料或是无机材料。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述待封装芯片为电容式感应芯片，所述加强层的介电常数大于3，且所述加强层为绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述待封装芯片为感光型芯片，所述加强层为透明材料。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述加强层的透光率大于80％。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述加强层的厚度范围是2μm-40μm，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：设置在所述待封装芯片背离所述加强层一侧的补强层，所述补强层位于所述封装结构的最外侧。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述补强层可以为塑封胶。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述待封装芯片的第二表面设置有贯穿所述待封装芯片的过孔，所述过孔用于露出所述第一焊垫；
所述焊接凸起通过设置在所述过孔内的再布线层与所述第一焊垫电连接。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述过孔为暴露所述第一焊垫的双层台阶孔；
所述过孔包括：设置在所述待封装芯片第二表面的凹槽，所述凹槽深度小于所述待封装芯片的厚度；位于所述凹槽内，且贯穿所述待封装芯片的通孔，所述通孔与所述第一焊垫一一对应，所述通孔用于露出对应的所述第一焊垫。
12.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述过孔为暴露所述第一焊垫的倒梯形孔；
所述过孔在由所述第一表面指向所述第二表面的方向上，所述过孔的孔径逐渐增大。
13.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述过孔为暴露所述第一焊垫的直孔。
14.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述待封装芯片侧壁具有倾斜切面，所述倾斜切面使得所述第二表面小于所述第一表面，以暴露部分所述第一焊垫；
所述焊接凸起通过设置在所述倾斜切面表面的再布线层与所述第一焊垫电连接。
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