[实用新型]一种带有齐纳二极管保护的COB封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成半导体照明元器件，具体涉及一种带有齐纳二极管保护的COB封装结构。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)，是一种发光的半导体元件，由于其可控性好，结构简单，体积小巧，色彩纯正、丰富，耐冲击，耐振动，响应时间快等特点，被公认是21世纪最具发展前景的高技术产品之一，在引发照明革命的同时，也为推动节能减排、环境保护做出重大贡献。

COB是Chip On Boarding(板上芯片直装)的英文缩写，是一种通过粘胶剂或焊料将LED芯片直接粘贴到PCB(Printed Circuit Board)板上，再通过引线键合实现芯片与PCB板间电互连的封装技术。COB技术主要用于大功率多芯片阵列的LED封装，同 SMT(Surface Mounted Technology表面贴装技术)相比，不仅大大提高了封装功率密度，而且降低了封装热阻。

在LED的COB封装结构中，对每个LED芯片进行各种保护(例如限流、瞬态电压等) 也逐渐完善，但是还没有对COB封装结构整体进行各种保护，同时，现有的保护由于直接作用于LED芯片上，其势必对LED芯片本身的发光以及散热等功能造成一定的影响。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型旨在于提供一种可解决上述技术问题的一种带有齐纳二极管保护的COB封装结构，其通过在COB封装结构增加齐纳二极管，对整个COB封装结构起到保护作用。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种带有齐纳二极管保护的COB封装结构，其包括基板、正电极、负电极以及至少一 LED芯片组，所述正电极、负电极以及LED芯片组均设置于基板上且LED芯片组的两端分别与正电极、负电极电性连接，所述COB封装结构进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管的两端分别与正电极、负电极电性连接。

作为一种实施方式，所述齐纳二极管为一个，该齐纳二极管安装于正电极上且齐纳二极管的阴极与该正电极电性连接，所述齐纳二极管的阳极与负电极电性连接。

作为另一种实施方式，所述齐纳二极管为一个，该齐纳二极管安装于负电极上且齐纳二极管的阳极与该负电极电性连接，所述齐纳二极管的阴极与正电极电性连接。

作为再一种实施方式，所述齐纳二极管为二个，分别为第一齐纳二极管和第二齐纳二极管，所述COB封装结构进一步包括一铜箔层，其中，所述第一齐纳二极管和第二齐纳二极管分别安装于正电极和铜箔层上，所述第一齐纳二极管的两端分别与正电极和铜箔层电性连接，所述第二齐纳二极管的两端分别与铜箔层和负电极电性连接。

作为再一种实施方式，所述齐纳二极管为二个，分别为第一齐纳二极管和第二齐纳二极管，所述COB封装结构进一步包括一铜箔层，其中，所述第一齐纳二极管和第二齐纳二极管分别安装于铜箔层和负电极上，所述第一齐纳二极管的两端分别与铜箔层和正电极电性连接，所述第二齐纳二极管的两端分别与负电极和铜箔层电性连接。

作为再一种实施方式，所述齐纳二极管为二个，分别为第一齐纳二极管和第二齐纳二极管，所述COB封装结构进一步包括一铜箔层，其中，所述第一齐纳二极管和第二齐纳二极管均安装于铜箔层上，所述第一齐纳二极管的两端分别与铜箔层和正电极电性连接，所述第二齐纳二极管的两端分别与铜箔层和负电极电性连接。

优选地，所述LED芯片组由至少二个LED芯片串联形成。

优选地，所述LED芯片的上表面覆盖有荧光胶。

本实用新型的有益效果至少包括以下几点：

1、将LED芯片组以及正负电极形成的COB封装结构作为一个整体构成COB器件，而将自带保护电路的齐纳二极管集成(具体为并联)于整个COB器件以抑制瞬态电压；

2、采用二个齐纳二极管同向(其中一齐纳二极管的阴极连接至正电极，另一齐纳二极管的阳极连接至负电极)串联和逆向(背向)串联的应用只是扩展应用，以达到用低压齐纳二极管对COB器件双向保护的目的；

3、齐纳二极管安装位置在COB器件的非发光功能区(正电极或负电极或铜箔层)隐藏，可为整个COB器件节省更多的安装空间，同时，不影响LED芯片的功能。

附图说明

图1为本实用新型带有齐纳二极管保护的COB封装结构实施例一的结构示意图；

图2为图1的电路原理图；

图3为本实用新型带有齐纳二极管保护的COB封装结构实施例二的结构示意图；

图4为图3的电路原理图；