[实用新型]一种带有齐纳二极管保护的COB封装结构有效
申请号: | 201720689320.1 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN207068845U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 李恒彦;王亚山;黄敏;李儒维 | 申请(专利权)人: | 厦门煜明光电有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L23/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 齐纳二极管 保护 cob 封装 结构 | ||
1.一种带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:其包括基板(10)、正电极(20)、负电极(30)以及至少一LED芯片组(40),所述正电极(20)、负电极(30)以及LED芯片组(40)均设置于基板(10)上且LED芯片组(40)的两端分别与正电极(20)、负电极(30)电性连接,所述COB封装结构进一步包括齐纳二极管(50),所述齐纳二极管(50)的两端分别与正电极(20)、负电极(30)电性连接。
2.如权利要求1所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述齐纳二极管(50)为一个,该齐纳二极管(50)安装于正电极(20)上且齐纳二极管(50)的阴极与该正电极(20)电性连接,所述齐纳二极管(50)的阳极与负电极(30)电性连接。
3.如权利要求1所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述齐纳二极管(50)为一个,该齐纳二极管(50)安装于负电极(30)上且齐纳二极管(50)的阳极与该负电极(30)电性连接,所述齐纳二极管(50)的阴极与正电极(20)电性连接。
4.如权利要求1所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述齐纳二极管(50)为二个,分别为第一齐纳二极管(51)和第二齐纳二极管(52),所述COB封装结构进一步包括一铜箔层(60),其中,所述第一齐纳二极管(51)和第二齐纳二极管(52)分别安装于正电极(20)和铜箔层(60)上,所述第一齐纳二极管(51)的两端分别与正电极(20)和铜箔层(60)电性连接,所述第二齐纳二极管(52)的两端分别与铜箔层(60)和负电极(30)电性连接。
5.如权利要求1所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述齐纳二极管(50)为二个,分别为第一齐纳二极管(51)和第二齐纳二极管(52),所述COB封装结构进一步包括一铜箔层(60),其中,所述第一齐纳二极管(51)和第二齐纳二极管(52)分别安装于铜箔层(60)和负电极(30)上,所述第一齐纳二极管(51)的两端分别与铜箔层(60)和正电极(20)电性连接,所述第二齐纳二极管(52)的两端分别与负电极(30)和铜箔层(60)电性连接。
6.如权利要求1所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述齐纳二极管(50)为二个,分别为第一齐纳二极管(51)和第二齐纳二极管(52),所述COB封装结构进一步包括一铜箔层(60),其中,所述第一齐纳二极管(51)和第二齐纳二极管(52)均安装于铜箔层(60)上,所述第一齐纳二极管(51)的两端分别与铜箔层(60)和正电极(20)电性连接,所述第二齐纳二极管(52)的两端分别与铜箔层(60)和负电极(30)电性连接。
7.如权利要求1-6任一项所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述LED芯片组(40)由至少二个LED芯片(41)串联形成。
8.如权利要求7所述的带有齐纳二极管保护的COB封装结构,其特征在于:所述LED芯片(41)的上表面覆盖有荧光胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门煜明光电有限公司,未经厦门煜明光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720689320.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:图像传感器芯片尺寸封装
- 同类专利
- 专利分类