[实用新型]氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路

说明书

技术领域

本公开涉及电路技术，具体地，涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。

背景技术

通常氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor，简称：GaN HEMT)的栅极电压需要为负电压，当栅极电压为0V时，GaN HEMT处于强导通状态，如果GaN HEMT的漏极电压仍在工作状态，则会产生大电流，使得GaN HEMT被烧毁。因此当GaN HEMT的栅极电压没有正确加载时，一定要确保GaN HEMT的漏极不会上电。基于此，为了保护GaN HEMT，需要在GaN HEMT的漏极与电源之间设置开关，当栅极电压没有正确加载时，可以通过关断开关保护GaN HEMT。更甚者，在脉冲应用中，除了在脉冲间隙也需要将电源关断，还需要在纳秒级别的时间内将GaN HEMT的漏极电压降至0V。

相关技术中，常用的开关是P型金属氧化物半导体(P Metal Oxide Semiconductor，简称：PMOS)开关器件。但是PMOS开关器件由于其载流子迁移率较低，为了实现相应的导通能力，PMOS开关器件会占用较大的印制电路板(Printed Circuit Board，简称：PCB)面积，且成本较高，另外PMOS开关器件的漏极寄生电容较大，导致漏极电压不能迅速关断，通称会有微秒级的拖尾，严重的会导致GaN HEMT被烧毁。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。

为了实现上述目的，本公开提供一种GaN HEMT的漏极调制电路，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；

所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；

所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；

所述过冲保护电路用于控制所述GaN HEMT的漏极调制电路的输出电压。

可选的，所述开关电路包括：第一输入端口、第二输入端口、第一放大器、第二放大器、第一NMOS及第二NMOS；

其中，所述第一输入端口与所述第一放大器的一个引脚连接，所述第一放大器的另一个引脚与所述第一NMOS的栅极连接；所述第二输入端口与所述第二放大器的一个引脚连接，所述第二放大器的另一个引脚与所述第二NMOS的栅极连接；

所述第一NMOS和所述第二NMOS串联，所述第一NMOS的漏极连接第一电源，所述第二NMOS的源极接地；所述第一NMOS和所述第二NMOS之间连接有所述GaN HEMT的漏极调制电路的输出端口；所述GaN HEMT的漏极调制电路的输出端口与所述GaN HEMT的漏极连接。

可选的，还包括：升压电路；

所述升压电路的一端与第二电源连接，所述升压电路的另一端与所述第一放大器的第三个引脚连接。

可选的，所述脉冲驱动电路包括：负压产生电路、脉冲控制信号产生电路、与门及非门；

所述负压产生电路的一端和所述脉冲控制信号产生电路均连接至所述与门；所述与门的一个输出端与所述第一输入端口连接；所述与门的另一个输出端与所述非门的输入端连接，所述非门的输出端与所述第二输入端口连接；所述负压产生电路的另一端与所述GaN HEMT的栅极连接。

可选的，所述过冲保护电路包括：第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管与所述第一NMOS并联，所述第二二极管与所述第二NMOS并联。

可选的，所述第二放大器的第三个引脚与所述第二电源连接，所述第二放大器的第四个引脚接地。

可选的，所述第一放大器的第四个引脚与所述GaN HEMT的漏极调制电路的输出端口连接。

通过上述技术方案，采用NMOS作为电源与GaN HEMT的漏极之间的开关器件，其尺寸较小、价格相对便宜，降低了电路的整体成本与面积，并且解决了在电源电流剧烈变化时产生的巨大过冲，保护了GaN HEMT的漏极调制电路中的NMOS开关器件，提高了电路的可靠性。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是根据一示例性实施例示出的一种GaN HEMT的漏极调制电路框图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种GaN HEMT的漏极调制电路框图。

具体实施方式