[实用新型]氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路

权利要求书

1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；

所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；

所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；

所述过冲保护电路用于控制所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出电压。

2.根据权利要求1所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，所述开关电路包括：第一输入端口、第二输入端口、第一放大器、第二放大器、第一NMOS及第二NMOS；

其中，所述第一输入端口与所述第一放大器的一个引脚连接，所述第一放大器的另一个引脚与所述第一NMOS的栅极连接；所述第二输入端口与所述第二放大器的一个引脚连接，所述第二放大器的另一个引脚与所述第二NMOS的栅极连接；

所述第一NMOS和所述第二NMOS串联，所述第一NMOS的漏极连接第一电源，所述第二NMOS的源极接地；所述第一NMOS和所述第二NMOS之间连接有所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出端口；所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出端口与所述GaNHEMT的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，还包括：升压电路；

所述升压电路的一端与第二电源连接，所述升压电路的另一端与所述第一放大器的第三个引脚连接。

4.根据权利要求2所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，所述脉冲驱动电路包括：负压产生电路、脉冲控制信号产生电路、与门及非门；

所述负压产生电路的一端和所述脉冲控制信号产生电路均连接至所述与门；所述与门的一个输出端与所述第一输入端口连接；所述与门的另一个输出端与所述非门的输入端连接，所述非门的输出端与所述第二输入端口连接；所述负压产生电路的另一端与所述GaNHEMT的栅极连接。

5.根据权利要求2所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，所述过冲保护电路包括：第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管与所述第一NMOS并联，所述第二二极管与所述第二NMOS并联。

6.根据权利要求3所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，所述第二放大器的第三个引脚与所述第二电源连接，所述第二放大器的第四个引脚接地。

7.根据权利要求2所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，所述第一放大器的第四个引脚与所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出端口连接。