[实用新型]一种用于PVD沉积设备的载板

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造的技术领域，尤其涉及一种用于PVD沉积设备的载板。

背景技术

目前高效太阳能电池的发展迅速，各种高效电池技术层出不穷，目前已经量产的高效电池技术有PREC电池、MWT电池、N型双面电池、HIT电池、以及IBC电池。其中HIT电池由于其简单的工艺步骤、低的温度系数、高的光电转换效率、适合薄片化以及双面结构等特点，得到了国内外众多光伏企业的青睐，都在加大研发力度来开发高效HIT电池。

高效异质结太阳能电池的主要工艺步骤如下：制绒清洗，CVD沉积非晶硅、PVD沉积透明导电膜、印刷或电镀形成金属电极。由于HIT电池是对称结构，PVD沉积了正反双面的透明导电膜。现在双面透明导电膜一般的制作方法是，在一台PVD上沉积正面透明导电膜，在另外一台PVD设备上沉积反面透明导电膜。采用压框的方式或后续边缘刻蚀的方式使硅片上下隔离绝缘。这种方式PVD设备数量多、投资高，步骤复杂，不易自动化。如何简单的实现双面透明导电薄膜的沉积并使硅片上下绝缘隔离是一项非常重要且有意义的工作。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种使生产更加自动化，不需要盖板，提高了生产效率的用于PVD沉积设备的载板。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种用于PVD沉积设备的载板，所述载板为一平面板，所述平面板内设有若干个用于承载基板的镂空凹槽，所述镂空凹槽上设有承载基板的边框。

进一步的，所述镂空凹槽数量在1-100之间，所述镂空凹槽的深度为0.5-1.5mm。

进一步的，所述边框的宽度为0.5-2mm。

由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：

本实用新型在基片正反面沉积透明导电薄膜层时，基片反面边缘由镂空凹槽的边框遮掩，使透明导电薄膜层在硅片边缘自然形成隔离，使生产更加自动化，不需要盖板，提高了生产效率。此外，基片正反面沉积透明导电薄膜层可以在一台PVD设备上实现，减少了设备投资。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型载板的结构示意图；

图2为本实用新型载板的镂空凹槽结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例

如图1、图2所示，一种用于PVD沉积设备的载板，所述载板的材质为金属、石英、碳纤维中的一种，载板的厚度为4mm，所述载板为一平面板1，所述平面板1内设有9个用于承载基板的镂空凹槽2，所述镂空凹槽2的深度为0.5mm，所述镂空凹槽2上设有承载基板的边框3，所述边框3的宽度为1mm。

所述基板为硅片，硅片放置在镂空凹槽2的边框上，PVD依次正面、反面透明导电薄膜层，硅片反面由于镂空凹槽2的边框3遮挡，硅片反面边缘未沉积上透明导电薄膜，所以硅片上下自然隔离绝缘。这种方式更有利于PVD的自动化，减少了设备投资，非常适合大规模生产化。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。