[实用新型]一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，属于太阳能光伏技术领域。

背景技术

随着抗PID技术的发展，臭氧技术、CO2/笑气技术以及PECVD无预清洗工艺都可以作为抗PID方式，因而提高氮化硅折射率不再是唯一的抗PID方式；然而，随着新型抗PID方式的发展，可以通过降低硅片折射率来增加短流和效率，但由于Si/N的比例降低又导致导电性变弱，氮化硅均匀性变差。另一方面，随着目前产业化对产能要求在不断提高，镀膜速度与日俱增，这也会导致氮化硅均匀性差，色差返工增加，A级品率下降。而石墨舟的导电性和饱和度对膜色均匀性有较大影响，研究石墨舟导电性和饱和度就显得尤为迫切。

石墨舟卡点是用于固定硅片的，现有技术中有两种对卡点保护处理方式，一、石墨舟饱和过程中卡点不进行保护。在饱和工艺完成后，卡点的外表面会沉积氮化硅，导致石墨舟和硅片导电性变差，从而影响氮化硅的均匀性，造成色差片。二、石墨舟饱和过程中对卡点进行完全保护，饱和工艺完成后，卡点侧边和上表面没有沉积氮化硅，从而导致饱和度不足，导致硅片靠近卡点附近产生色差，造成色差返工片。以上两种方式均会导致色差返工比例高的问题，大大影响产业化A级品率，造成人力物力资源浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种能兼顾石墨舟导电性和饱和度的卡点半保护结构，本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，包括若干个石墨舟片，每个所述石墨舟片上用于固定硅片的位置设置有多个卡点，相邻两个所述石墨舟片中，对应位置处的卡点之间通过陶瓷环相连。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述卡点包括五个圆柱。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述卡点包括一个大圆柱，两个等径中圆柱，两个等径小圆柱。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述两个小圆柱为连接体，用于连接大圆柱与中圆柱。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述中圆柱通过两个小圆柱对称连接在大圆柱上下表面，形成两个凹型卡槽。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述大圆柱镶嵌在石墨舟片内。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述陶瓷环套设于卡点上。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述陶瓷环与卡点套设部分非镂空设计，侧壁中空部分镂空设计。

一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，所述中圆柱的径向尺寸略小于所述陶瓷环的内径。

本实用新型的有益效果为：

通过陶瓷环部分镂空设计，在石墨舟饱和过程中对卡点进行半保护，对卡槽位置进行保护，而卡点上表面不被保护，避免卡槽沉积氮化硅，提高卡点导电性，提高镀膜均匀性，上表面饱和到氮化硅，避免硅片卡点附近色差，降低色差返工降级，提高产品A级品率。

附图说明

图1是饱和用管式PECVD石墨舟页的主视结构示意图。

图2是饱和用管式PECVD石墨舟的俯视结构示意图。

图3是卡点主视图。

图4是卡点与陶瓷环装配的俯视图。

图5是卡点与陶瓷环装配后的主视结构示意图。

图6是陶瓷环主视图。

图中：a-石墨舟片；b-卡点；b1-大圆柱，b2-中圆柱，b3-小圆柱，b4-凹型卡槽；c-陶瓷环；c1-陶瓷环非镂空部分；c2-陶瓷环侧壁镂空部分。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。