[实用新型]一种光伏晶硅电池扩散方阻测量装置有效
申请号: | 201720602048.9 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN207009403U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 常巧艳 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 301510 天津市滨海新区天津市津汉*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光伏晶硅 电池 扩散 测量 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏制造技术领域,尤其涉及一种光伏晶硅电池扩散方阻测量装置。
背景技术
太阳能电池生产过程中,包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷测试等工序。扩散工序是在有掺杂的硅片表面,通过高温化学工艺,沉积一定的磷原子或是硼原子,从而在表面形成PN结或是重掺杂区。PN结是晶硅电池片发电的核心,重掺杂区则能够提供更丰富的少子,提升硅片的发电性能。故经过扩散工艺的硅片,需对扩散效果进行检验,检验的方法就是进行方块电阻的测量。方阻合格的硅片会继续进行后工序生产,方阻不合格的硅片,被及时发现后会进行再处理,并查找不合格产生的原因,从而进行工艺调整或是设备维修。如果不合格片没有被及时检测到,而流入后工序,将被生产成效率极低的电池片,进而被划为不合格电池片。
现有技术中方块电阻的检测方法如下:取扩散后硅片放到指定的测试装置上,四探针探头下压到硅片表面,通过加载一定的电压电流来检测区域方块电阻值的大小。
目前对扩散工序方阻测量的装置为单头四探针测试仪。该设备通过一个四探针探头,一个可移动和旋转的载物台,经过载物台多次(X/Y/T)移动和探针多次下探,测量扩后片不同位置的多个方阻测量点。
目前常用的四探针测试仪测量方阻,虽然可以通过软件设置对扩后片测试多少点(如五点,九点),但是该设备就有一个探头,每次只能测量一个点的方阻值。而且每测试一个点时,需要设备载物台移动到下一个测量点,这样就会大大降低测量速度。目前的检测设备以五点方式检测一片扩后片需要约30秒时长。扩散炉管包括五个温区,五个温区的方阻均需进行测量,即需要2分30秒的时间完成一管的检测。故目前的检测设备严重制约了质量控制点的检测速度。
所以,如何提供一种光伏晶硅电池扩散方阻测量装置,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种光伏晶硅电池扩散方阻测量装置,解决现有技术中存在的问题,具体方案如下:
一种光伏晶硅电池扩散方阻测量装置,包括控制区和测试区,所述测试区包括设置在底部的样品台以及设置在所述样品台上部的升降工作台,所述升降工作台下方安装有多个四探针探头,所述多个四探针探头均匀分布在与所述样品台垂直的正上方。
具体的,所述样品台上方设有定位卡点。
具体的,所述样品台底部还设有真空吸孔,所述真空吸孔由控制区的真空装置控制真空度。
具体的,所述测试区上部设有遮光罩,所述遮光罩通过转轴与控制区连接,所述遮光罩的一个侧面设有提手,所述遮光罩可以通过提拉提手沿所述转轴实现180度旋转。
具体的,所述升降工作台下方安装有五个四探针探头,所述五个四探针探头分别位于所述样品台的四个角部及中心部的垂直正上方。
具体的,所述控制区上设有电子控制屏。
具体的,所述遮光罩包括两层,外层为黑色丝质品,内层为轻质塑料。
本实用新型与现有技术相比,具有的优点是:1、本装置安装了多个四探针探头,可以根据实际情况调整探头数量。2、一次性对待测片多个点的方阻值进行同时测量,极大的提高了检测效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型提供的方阻测量装置的立体透视图;
图2为测试状态的局部侧视图;
图中:10、控制区 11、控制屏 20、测试区 21、样品台 22、定位卡点 23、真空吸孔 30、升降台 31、四探针探头 40、遮光罩 41、提手 42、转轴 50、电池片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造