[实用新型]集成电路

说明书

技术领域

本实用新型的实施例及其实施方式涉及集成电路并且更具体地涉及保护其免受基于集成电路的各层的摄影顶视图实施的“逆向工程”。

实用新型内容

为了解决由于现有的以及其他的集成电路的结构上的问题，例如使在逆向工程期间使用的自动图案识别变得复杂或甚至几乎不可能，本实用新型提出一种集成电路，其通过其设置在集成电路的互连部分(通常由本领域技术人员用缩写BEOL：“后段制程”表示)、更具体地在将下金属化层级与上金属化层级分离的通孔层级的至少一个通孔与来自该下金属化层级的至少一个金属轨之间形成至少一个电中断来解决上述问题。其中互连部分(BEOL)位于集成电路的衬底的顶部。因此，将下金属化层级被理解为意指与比上金属化层级更靠近衬底的金属化层级。

根据一个方面，本实用新型提供了一种集成电路，该集成电路包括互连部分，该互连部分包括：位于由绝缘包封层覆盖的下金属化层级与上金属化层级之间的至少一个通孔层级；以及至少一个电中断，该至少一个电中断在该通孔层级的至少第一通孔与该下金属化层级的至少第一轨之间，位于该包封层的层级处。

根据一个实施例，该集成电路包括在每个第一通孔的位置处的孔口，该孔口穿过该包封层并且延伸进入每个相应底层第一金属轨的一部分中，该孔口的内壁和底部涂覆有第一绝缘层，每个第一通孔通过形成相应电中断的该第一绝缘层的相应部分与每个相应第一轨分离，而该通孔层级的其他通孔穿过该包封层与该下金属化层级的相应轨电接触。

根据另一实施例，每个第一通孔通过形成相应电中断的该包封层的第一相应部分与每个相应第一轨分离，而该通孔层级的其他通孔穿过该包封层与该下金属化层级的相应轨电接触。

根据又一实施例，该集成电路包括在每个第一通孔的位置处的该包封层的中断区，该中断区被覆盖相应底层金属轨的第二相应部分的金属氧化物绝缘层填充，每个第一通孔通过形成相应电中断的相应金属氧化物绝缘层与相应第一轨分离，而该通孔层级的其他通孔穿过该包封层与该下金属化层级的相应轨电接触。

根据另一方面，本实用新型提出一种包括如上文所限定的集成电路的物体。

根据一个实施例，该物体形成智能卡。

附图说明

本实用新型的其它优点和特征将在检查实施例及其实施方式的详细描述后并且从所附附图变得显而易见，这些实施例和实施方式决非限制性的，在附图中：

-图1至图4示意性地展示了本实用新型的第一实施例及其实施方式，

-图5至图7示意性地展示了本实用新型的第二实施例及其实施方式，

-图8至图12示意性地展示了本实用新型的第三实施例及其实施方式，以及

-图13示意性地展示了根据本实用新型的智能卡。

具体实施方式

在图1中，参考号IC1表示包括例如晶体管TR的集成电路，在此已示意性地示出了该集成电路的衬底SB，在该衬底之中和之上制造部件。

集成电路IC1在衬底顶部包括通常包含有若干金属化层级以及在这些金属化层级之间的若干通孔层级的互连部分PITX(BEOL)。

在图1中，为了简单起见，仅示出了一个金属化层级Mn，其在下文中将被标记为下金属化层级。

此下金属化层级Mn以常规方式形成并包括包封在轨间介电材料1中的金属轨P1、P2。

金属化层级Mn被例如由碳氮化硅(SiCN)制成的绝缘包封层C1覆盖。

如在图1中所展示的，抗蚀剂掩模RS形成在具有孔口OR0的层C1上，该孔口如将在下文中见到的那样将允许在第一通孔的层级处形成电中断。

在图2至图4中，为了简单起见，未示出集成电路IC1的衬底SB并且仅示出了互连部分PITX的一部分。

如在图2中所展示的，将孔口OR1蚀刻穿过孔口OR0，穿过包封层C1并且延伸进入下金属化层级Mn的底层第一金属轨P1的一部分中。

然后，第一绝缘层C2沉积在覆盖包封层C1并且涂覆孔口OR1的内壁和底部的此结构上。

此第一绝缘层C2可以例如包括正硅酸乙酯(TEOS)。

然后，如在图3中所展示的，第二绝缘层C3例如通过沉积形成在第一绝缘层C2上，该第二绝缘层也可以由TEOS制成或者包括例如SiOC型的具有低介电常数的材料。

此绝缘层C3为金属化层级间绝缘层并且通常以缩写IMD(“金属间电介质”)为本领域技术人员所知。