[实用新型]集成电路和物体

说明书

本申请涉及集成电路和物体。提供一种集成电路，包括在半导体衬底上方的大量导电焊盘，该大量导电焊盘分别位于该集成电路的部件区与该集成电路的第一金属化层级之间并且包封在绝缘区中，该大量焊盘包括与相应第一部件区电接触的第一焊盘以及不与相应第二部件区电接触的至少一个第二焊盘，以形成至少一个电中断。根据本申请的方案，能够实现免受在集成电路的各层的摄影顶视图的基础上实施的逆向工程的集成电路和相应物体。

技术领域

本实用新型的实施方式和实施例涉及集成电路，并且更具体地涉及保护集成电路免受在集成电路的各层的摄影顶视图的基础上实施的逆向工程。

背景技术

根据一个实施方式和实施例，提出的是集成电路，如果并非几乎不可能的话，该集成电路的结构和制造方法使在逆向工程期间使用的自动图案识别变得复杂，具体地通过增加提取错误率以使得几乎不可能从布局的顶视图中提取集成电路的描述(网表)。

在此方面，具体提出的是在集成电路中制造至少一个电中断，导电焊盘(通常被本领域技术人员称为触点)的底端将部件区(例如，晶体管源极区或漏极区)连接至集成电路的互连部分(通常以缩写的形式被本领域技术人员称为BEOL(后段制程))的第一金属化层级。

实用新型内容

因此，根据一个方面，提出的是一种集成电路，该集成电路包括在半导体衬底上方的大量导电焊盘，该大量导电焊盘分别位于该集成电路的部件区与该集成电路的第一金属化层级之间并且包封在绝缘区中，该大量焊盘包括与相应第一部件区电接触的第一焊盘以及不与相应第二部件区电接触的至少一个第二焊盘，以形成至少一个电中断。

根据一个实施例，该至少一个第二焊盘完全嵌入在该绝缘区中，该绝缘区的一部分位于该至少一个第二部件区与该至少一个第二焊盘的底端之间。

根据一个实施例，该至少一个第二焊盘的横截面大小类似于每个第一焊盘的横截面大小。

根据一个实施例，该至少一个第二部件区包括晶体管的有源区。

根据另一方面，提出的是一种包括如上文所限定的集成电路的物体，例如，芯片卡或电子电器(如例如，蜂窝式移动电话或平板计算机)。

根据本申请的方案，能够实现免受在集成电路的各层的摄影顶视图的基础上实施的逆向工程的集成电路和相应物体。

附图说明

本实用新型的其它优点和特征将在检查了实施方式和实施例的详细描述后以及从所附附图变得显而易见，这些实施方式和实施例决非限制性的，在附图中：

-图1展示了现有技术中的集成电路的示例，

-图2至图9示意性地展示了根据本实用新型的方法的示例以及根据本实用新型的集成电路的示例，以及

-图10示意性地展示了根据本实用新型的芯片卡。

具体实施方式

在图1中，参考号IC1表示现有技术中的集成电路的示例。

此集成电路IC1以常规的方式包括半导体衬底SB以及绝缘区RIS1，例如，界定衬底区的浅沟槽隔离(STJ)，在该衬底区域中例如形成有源部件区Z1。这些部件在此包括例如晶体管TR，然后，区域Z1形成这些晶体管的源极区或漏极区。

集成电路的部件通过绝缘区RIS2与第一金属化层级M1分离，该绝缘区在此包括例如由SiCN制成的第一绝缘层CS1，该第一绝缘层被例如由材料(比如SiO2)制成的第二绝缘层CS2覆盖。

部件区Z1通过通常被本领域技术人员称为触点的第一焊盘PLT1连接至第一金属化层级M1的金属轨PST。这些焊盘PLT1是导电的，例如由钨制成，并且包封在绝缘区RIS2中。