[实用新型]一种用于多组半导体芯片堆叠封装的结构有效

专利信息
申请号: 201720545523.3 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN206727065U 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 姚凯 申请(专利权)人: 衢州福创工业设计有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 324000 浙江省衢州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 半导体 芯片 堆叠 封装 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体封装技术领域,具体为一种用于多组半导体芯片堆叠封装的结构。

背景技术

随着半导体产业的深入发展,摩尔定律受到越来越多的阻碍,要实现摩尔定律所付出的成本越来越高,然而人们对于半导体产品性能的要求却从未停止,目前,通过改变半导体产品封装形式的方向寻求提高产品性能的途径是一个新的方向,三维系统级封装也随之产生,三维堆叠封装可以在更小的空间内集成更多的半导体芯片,然而,传统的三维封装技术导线连接杂乱,并且导线连接较长,为此,我们提出了一种用于多组半导体芯片堆叠封装的结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于多组半导体芯片堆叠封装的结构,以解决上述背景技术中提出的传统的三维封装技术导线连接杂乱,并且导线连接较长的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于多组半导体芯片堆叠封装的结构,包括基板,所述基板的底部均匀设置有焊盘,所述基板的顶部左右两侧均设置有导线基板,两组所述导线基板之间从下至上依次设置有第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片,所述第一半导体芯片与基板之间、第二半导体芯片与第一半导体芯片之间、第三半导体芯片与第二半导体芯片之间均设置有隔板层,所述第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片的左右两侧均设置有引脚板,两组所述导线基板的顶部之间连接有密封盖,左侧所述导线基板的右侧与右侧所述导线基板的左侧均匀设置有对接焊盘。

优选的,所述导线基板分别与第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片之间均填充有绝缘材料层。

优选的,所述密封盖与导线基板之间通过粘合剂粘接在一起。

优选的,所述隔板层的底部和顶部均设置有橡胶绝缘层。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过导线基板、对接焊盘和引脚板的配合设置,可使芯片在焊接过程中实现一对一焊接,并且排列有序,使导线连接工整,看起来不会显得杂乱,同时缩短了连接导线的长度,既节约了材料,减少了成本,又使连接导线之间不易出现线路故障,通过隔板层和密封盖的设置,既可使各个芯片之间连接的更牢固,又可使各个芯片之间能够独立,互不干扰,能够更好的保护半导体芯片不受损伤。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型隔板层结构示意图。

图中:1基板、2焊盘、3导线基板、4第一半导体芯片、5隔板层、51橡胶绝缘层、6第二半导体芯片、7第三半导体芯片、8引脚板、9密封盖、10对接焊盘。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2,本实用新型提供一种技术方案:一种用于多组半导体芯片堆叠封装的结构,包括基板1,所述基板1的底部均匀设置有焊盘2,所述基板1的顶部左右两侧均设置有导线基板3,两组所述导线基板3之间从下至上依次设置有第一半导体芯片4、第二半导体芯片6和第三半导体芯片7,所述第一半导体芯片4与基板1之间、第二半导体芯片6与第一半导体芯片4之间、第三半导体芯片7与第二半导体芯片6之间均设置有隔板层5,所述第一半导体芯片4、第二半导体芯片6和第三半导体芯片7的左右两侧均设置有引脚板8,两组所述导线基板3的顶部之间连接有密封盖9,左侧所述导线基板3的右侧与右侧所述导线基板3的左侧均匀设置有对接焊盘10。

其中,所述导线基板3分别与第一半导体芯片4、第二半导体芯片6和第三半导体芯片7之间均填充有绝缘材料层,使芯片在封装好以后的结构更稳定,不易出现漏电或短路的情况发生,所述密封盖9与导线基板3之间通过粘合剂粘接在一起,增加封装效果,使密封盖9不易脱落,所述隔板层5的底部和顶部均设置有橡胶绝缘层51,使芯片叠加时更安全,保护各个芯片的功能正常。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于衢州福创工业设计有限公司,未经衢州福创工业设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720545523.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top