[实用新型]扇出型晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述扇出型晶圆级封装结构至少包括：

重新布线层；

第一倒装芯片，键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

金属膏导电柱，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

第二倒装芯片，键合于所述金属膏导电柱的上表面，且位于所述第一倒装芯片的上方，所述第二倒装芯片经由所述金属膏导电柱与所述重新布线层电连接；

塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且填满所述第一倒装芯片、所述金属膏导电柱、所述第二倒装芯片及所述重新布线层之间的间隙，并将所述第一倒装芯片、所述金属膏导电柱及所述第二倒装芯片封裹塑封；

焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述重新布线层至少包括：

第一介电层；

金属叠层结构，位于所述第一介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；

下金属化层，位于所述第一介电层的上表面，且与所述金属线层电连接。

3.根据权利要求2所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述第一倒装芯片至少包括：

裸芯片；

连接层，位于所述裸芯片的上表面；

互联凸块，位于所述连接层上，且所述互联凸块通过所述连接层实现与所述裸芯片的电性连接；

其中，所述第一倒装芯片通过所述互联凸块键合于所述下金属化层的上表面，从而实现与所述重新布线层的电性连接。

4.根据权利要求3所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述连接层至少包括：

多个焊盘，位于所述裸芯片的上表面；

第二介电层，覆盖于所述裸芯片的上表面及所述焊盘；

绝缘层，位于所述第二介电层的上表面；

通孔，贯穿所述绝缘层及所述第二介电层，以暴露出所述焊盘的上表面。

5.根据权利要求4所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述互联凸块形成于所述焊盘的上表面并覆盖部分绝缘层，且所述互联凸块通过所述焊盘实现与所述裸芯片的电性连接。

6.根据权利要求5所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述互联凸块为由金属柱及形成于所述金属柱上表面的金属帽组成的金属组合结构，或者所述互联凸块为金属焊料球。

7.根据权利要求6所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述金属柱的材料包括Cu或Ni，所述金属帽的材料及所述金属焊料球的材料分别包括锡、铜、镍、银锡铜合金或锡基合金。

8.根据权利要求4～7任一项所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述第一介电层及所述第二介电层均采用低k介电材料。

9.根据权利要求1～7任一项所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述塑封层的材料包括聚酰亚胺、硅胶或环氧树脂。