[实用新型]一种显示基板及显示装置有效
| 申请号: | 201720527187.X | 申请日: | 2017-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN206774550U | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
| 发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,刘伟 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)相对于液晶显示器件(LCD)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
在OLED显示器件中,都会采用到同层结构,即,不同像素区域中,功能相同的结构同层设置,通过喷墨打印工艺同一材料同时形成。而随着材料对电子和空穴传输能力的提升,同层结构之间相互串扰,影响产品性能。
实用新型内容
本实用新型提供一种显示基板及显示装置,用以解决OLED显示器件的同层结构相互串扰,影响产品性能的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种显示基板,包括像素界定层,用于限定多个像素区域,所述像素界定层的表面具有沟槽,所述沟槽位于相邻的两个像素区域之间。
如上所述的显示基板,其中,所述沟槽从与其相邻的像素区域的一侧延伸至相对的另一侧。
如上所述的显示基板,其中,所述沟槽包括:
沿行方向延伸的第一沟槽,位于相邻两行像素区域之间,和/或
沿列方向延伸的第二沟槽,位于相邻两列像素区域之间。
如上所述的显示基板,其中,所述沟槽的与所述沟槽的延伸方向的垂直的截面为梯形。
如上所述的显示基板,其中,所述梯形的侧面与所述显示基板所在平面之间的夹角大于70°。
如上所述的显示基板,其中,所述像素界定层由正性光刻胶材料制得,所述梯形为上大下小的倒梯形。
如上所述的显示基板,其中,所述像素界定层由负性光刻胶材料制得,所述梯形为上小下大的正梯形。
如上所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括位于所述像素区域的有机电致发光器件;
所述沟槽与所述有机电致发光器件的位置对应,且所述沟槽的槽深不小于所述有机电致发光器件的厚度。
如上所述的显示基板,其中,所述沟槽的槽深大于300nm。
本实用新型实施例中还提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,通过像素界定层限定多个像素区域,并在像素界定层的表面设置沟槽,所述沟槽位于相邻的两个像素区域之间,形成隔断,降低相邻的两个像素区域中同层结构的连续性,从而减小同层结构之间的串扰问题,提高产品性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本实用新型实施例中显示基板的结构示意图;
图2表示图1沿A-A的局部剖视图一;
图3表示图1沿A-A的局部剖视图二;
图4和图5表示本实用新型实施例中像素界定层的制作过程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
结合图1-图3所示,本实用新型实施例中提供一种显示基板,尤其是一种有机电致发光显示基板。所述显示基板包括基底100和设置在基底100上的像素界定层1,用于限定多个像素区域200。每一像素区域200包括有机电致发光器件,用于发出所需颜色的光线,相邻的多个像素区域200的有机电致发光器件发出不同颜色的光线,配合实现彩色显示。有机电致发光器件具体可以为有机电致发光二极管,包括第一电极2和第二电极4,以及设置在第一电极2和第二电极4之间的有机发光层3,有机发光层3可以选择荧光材料、磷光材料等。当然,有机电致发光二极管还可以包括电子传输层、空穴传输层等功能层,在此不再一一详述。
其中,对于所有像素区域200,有机电致发光器件的具有相同功能的结构为同层结构,如:所有像素区域200的第一电极2、第二电极4和电子传输层、空穴传输层等功能层。当部分像素区域200的有机电致发光器件均发出相同颜色的光线时,所述部分像素区域200的有机电致发光器件的有机发光层3也为同层结构。
需要说明的是,本实用新型中涉及的同层结构是指:通过喷墨打印工艺在所有像素区域200内同时喷墨打印同一材料,形成位于多个像素区域200内的、具有相同功能的多个结构。所述多个结构即为同层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





