[实用新型]薄膜晶体管结构、电路结构、显示基板及显示装置有效
| 申请号: | 201720520432.4 | 申请日: | 2017-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN206774547U | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
| 发明(设计)人: | 袁粲;蔡振飞;李永谦;徐攀;袁志东;李蒙;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 黄灿,张博 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 结构 电路 显示 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是指一种薄膜晶体管结构、电路结构、显示基板及显示装置。
背景技术
显示面板中的薄膜晶体管是关键器件,但是薄膜晶体管所在区域不透光,当显示面板中有多个薄膜晶体管时,多个薄膜晶体管在整个显示面板中所占区域的面积大小会对显示面板的显示有一定的影响。
例如,越来越多的显示面板都利用栅线集成驱动(Gate Driver on Array,简称GOA)技术,将栅极开关电路集成在显示面板中的薄膜晶体管结构上以形成对显示面板的扫描驱动,从而可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本,这种集成在薄膜晶体管结构上的栅极开关电路称作栅线集成驱动电路,在栅线集成驱动电路中通常形成多个薄膜晶体管,会造成栅线集成驱动电路在整个显示面板中所占区域的面积较大,造成显示面板的边框较宽,不利于窄边框设计。
因此,如何保证在多个薄膜晶体管器件正常工作的前提下,减小薄膜晶体管在整个显示面板中所占区域的面积,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管结构、电路结构、显示基板及显示装置,能够缩小薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积,提高显示面板的开口率。
为解决上述技术问题,本实用新型的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种薄膜晶体管结构,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个有源层。
进一步地,所述第一薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
进一步地,所述有源层包括交叉设置的第一部分和第二部分,所述第一薄膜晶体管的栅极的延伸方向与所述第一部分的延伸方向平行,所述第二薄膜晶体管的栅极的延伸方向与所述第二部分的延伸方向平行,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述第一部分的两个端部连接,所述第二薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述第二部分的两个端部连接。
进一步地,所述第一部分的延伸方向与所述第二部分的延伸方向垂直。
进一步地,还包括:
位于所述第一薄膜晶体管的栅极和所述有源层之间的第一栅绝缘层;
位于所述第二薄膜晶体管的栅极和所述有源层之间的第二栅绝缘层。
进一步地,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层。
本实用新型实施例还提供了一种显示基板,包括如上所述的薄膜晶体管结构。
本实用新型实施例还提供了一种电路结构,包括如上所述的薄膜晶体管结构。
进一步地,所述电路结构包括栅线集成驱动电路或有机电致发光显示器件的像素电路。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板或如上所述的电路结构。
本实用新型的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个有源层,由于薄膜晶体管结构采用第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管层叠设置且共用一个有源层的新型结构,可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积,提高显示面板的开口率,如果将该薄膜晶体管结构应用在GOA电路中时,可减小GOA电路占用面积,减小显示面板的边框,有利于实现显示面板的窄边框。
附图说明
图1为本实用新型实施例薄膜晶体管结构的立体示意图;
图2为图1中的AA截面示意图;
图3为图1中的BB截面示意图;
图4为本实用新型实施例显示基板的平面示意图;
图5为本实用新型实施例形成第一栅极后的平面示意图;
图6为本实用新型实施例形成有源层后的平面示意图;
图7为本实用新型实施例形成层间绝缘层后的平面示意图;
图8为本实用新型实施例形成源漏金属层后的平面示意图;
图9为本实用新型实施例形成第二栅极后的平面示意图。
附图标记
1第一栅极 2有源层21有源层的第一部分
22有源层的第二部分3第二栅极4衬底基板
5第一栅绝缘层 6第二栅绝缘层7源漏金属层
8层间绝缘层
具体实施方式
为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





