[实用新型]薄膜晶体管结构、电路结构、显示基板及显示装置有效
| 申请号: | 201720520432.4 | 申请日: | 2017-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN206774547U | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
| 发明(设计)人: | 袁粲;蔡振飞;李永谦;徐攀;袁志东;李蒙;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 黄灿,张博 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 结构 电路 显示 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管结构,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个有源层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构,其特征在于,所述有源层包括交叉设置的第一部分和第二部分,所述第一薄膜晶体管的栅极的延伸方向与所述第一部分的延伸方向平行,所述第二薄膜晶体管的栅极的延伸方向与所述第二部分的延伸方向平行,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述第一部分的两个端部连接,所述第二薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述第二部分的两个端部连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构,其特征在于,所述第一部分的延伸方向与所述第二部分的延伸方向垂直。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构,其特征在于,还包括:
位于所述第一薄膜晶体管的栅极和所述有源层之间的第一栅绝缘层;
位于所述第二薄膜晶体管的栅极和所述有源层之间的第二栅绝缘层。
6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层。
7.一种显示基板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管结构。
8.一种电路结构,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管结构。
9.根据权利要求8所述的电路结构,其特征在于,所述电路结构包括栅线集成驱动电路或有机电致发光显示器件的像素电路。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示基板或如权利要求8所述的电路结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





