[实用新型]板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构有效
申请号: | 201720515809.7 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN206820009U | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 李慧;陈克;徐建;樊华;彭彪;俞超;徐长坡;徐强 | 申请(专利权)人: | 东方环晟光伏(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/54 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人: | 刘畅,徐冬涛 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 板式 等离子体 沉积 上下 镀膜 一体 设备 石墨 板结 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池板生产设备的技术领域,具体是一种板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构。
背景技术
随着市场对高性能电池需求的日益增长,背面钝化电池越来越多的受到了人们的关注。背钝化技术作为一种能够降低太阳能晶硅电池背表面复合速率、提高长波响应的方法,逐步成为产业化太阳能电池提效降本的一个主要方向。
PERC高效背钝化电池是在常规电池制备的基础上,通过增加背面钝化及激光开槽工艺,有效的提高了电池的光电转化效率。PERC电池的工艺流程如图1,电池完成背面AlOx/SiNx叠层膜沉积后,进入下一道工序进行正面SiNx膜的沉积。目前,板式PECVD是较为成熟的叠层钝化设备,背面一般采用板式AlOx/SiNx双腔机型,正面单独采用板式PECVD或管式PECVD设备进行钝化膜沉积。由于正、背面钝化膜分别在两个设备完成,存在正面污染的风险。为了进一步提升设备、空间的利用率,并达到优化PERC电池产品的目的,已有设备公司研发出正、背面镀膜一体设备,背面采用上镀膜,正面采用下镀膜方式,所有钝化工艺在一台设备完成,有效的控制了产品的不良比例。由于该设备同时采用了上镀膜和下镀膜两种镀膜方式,石墨载板的设计成为人们的关注焦点,也成为该技术推广的难点之一。
目前板式等离子气相沉积设备有两种镀膜方式:一种是上镀膜方式,如图2所示,硅片正面朝上,为了防止硅片在石墨载板传输过程中位置发生滑动,石墨载板的每个小单元设计为具有一定宽度的凹槽,镀膜时硅片边缘与凹槽表面接触,实现位置固定。具有一定组份的气体经过反应,沉积在硅片的上表面。另一种是下镀膜方式,如图3所示,该方式的石墨载板采用挂钩式设计,硅片正面朝下放置在挂钩上实现位置固定,反应气体经离子化后沉积在硅片表面,同时表面会产生不同程度的挂钩印。
近期广泛推崇的上、下镀膜一体设备是同时采用上镀膜和下镀膜方式,在同一台设备相继完成正、背面镀膜。若采用凹槽式石墨载板设计,硅片边缘一定宽度的位置会出现未沉积现象,影响电池片外观及转换效率;若采用挂钩式石墨载板设计,硅片的一个表面除产生支点印外,硅片边缘会出现不同程度的白边,同样影响电池片外观及转换效率。
实用新型内容
本实用新型针对背景技术中存在的问题提供一种板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构,它包括石墨边框,所述石墨边框均匀分割为多个载台单元,所述载台单元为镂空,每个载台单元上纵向连接多组石墨档条。
优选的,所述石墨档条的两端与石墨边框的连接处呈上凹半圆弧状石墨(亦可称为下凸半圆弧状石墨),所述石墨档条的中部呈线状石墨。
更优的,所述上凹半圆弧状石墨的弧度为Φ1mm。
更优的,所述线状石墨低于石墨边框0.2mm。
优选的,所述石墨档条的直径为Φ0.5-1mm。
作为第一种石墨档条的实施方式,所述多组石墨档条为平行布置。
作为第二种石墨档条的实施方式,所述多组石墨档条为纵横交错布置呈网格状图形。
本实用新型的有益效果
1.电池片经过正背面镀膜后,电池片颜色一致,无绕镀、无支点印;
2.主栅可采用低温银浆,减少高温对背面钝化的负面影响;
3.实现电池片正、背面镀膜在同一台设备完成,降低设备采购成本、提高空间利用率、减少硅片流转过程中的不良产生。
附图说明
图1为现有的PERC电池的工艺流程图。
图2为现有的上镀膜方式示意图。
图3为现有的下镀膜方式示意图。
图4为本实用新型的整体结构示意图。
图5为本实用新型的载台单元细节图。
图6A为第一种石墨档条的实施方式且石墨档条数量为2的载台单元结构图。
图6B为第一种石墨档条的实施方式且石墨档条数量为3的载台单元结构图。
图6C为第一种石墨档条的实施方式且石墨档条数量为4的载台单元结构图。
图6D为第一种石墨档条的实施方式且石墨档条数量为5的载台单元结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但本实用新型的保护范围不限于此:
实施例1:结合图4,一种板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构,它包括石墨边框1,所述石墨边框1均匀分割为多个载台单元2,所述载台单元2为镂空,每个载台单元2上纵向连接多组石墨档条3,每个载台单元2上放置一个硅片4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的