[实用新型]板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构有效
| 申请号： | 201720515809.7 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN206820009U | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李慧;陈克;徐建;樊华;彭彪;俞超;徐长坡;徐强 | 申请（专利权）人： | 东方环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/54 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 刘畅,徐冬涛 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 板式 等离子体 沉积 上下 镀膜 一体 设备 石墨 板结 | ||
【权利要求书】：
1.一种板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，它包括石墨边框(1)，所述石墨边框(1)均匀分割为多个载台单元(2)，所述载台单元(2)为镂空，其特征在于每个载台单元(2)上纵向连接多组石墨档条(3)。
2.根据权利要求1所述的板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，其特征在于所述石墨档条(3)的两端与石墨边框(1)的连接处呈上凹半圆弧状石墨(3-2)，所述石墨档条(3)的中部呈线状石墨(3-1)。
3.根据权利要求2所述的板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，其特征在于所述上凹半圆弧状石墨(3-2)的弧度为Φ1mm。
4.根据权利要求2所述的板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，其特征在于所述线状石墨(3-1)低于石墨边框(1)0.2mm。
5.根据权利要求1所述的板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，其特征在于所述石墨档条(3)的直径为Φ0.5-1mm。
6.根据权利要求1所述的板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，其特征在于所述多组石墨档条(3)为平行布置。
7.根据权利要求1所述的板式等离子体气相沉积上下镀膜一体设备的石墨载板结构，其特征在于所述多组石墨档条(3)为纵横交错布置呈网格状图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
