[实用新型]零温度系数的振荡装置有效
申请号: | 201720490622.6 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN206686143U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H03B1/02 | 分类号: | H03B1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 系数 振荡 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术,尤其涉及到零温度系数的振荡装置。
背景技术
图1为现有技术,缺点在于参考电压VR是随着温度会有所变化,导致输出的振荡频率不够稳定。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种零温度系数的振荡装置,以解决现有技术振荡频率会随着温度变化的不足。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种零温度系数的振荡装置,该装置包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第一比较器、第一或非门、第二比较器、第二或非门、第一反相器和第二反相器:
所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1,负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极;所述第一电阻和所述第二电阻串联接地;
所述第一PMOS管和所述第二PMOS管接成镜像电流镜,所述第二PMOS管的漏极接所述第三PMOS管的源极;
所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端,漏极接所述第一比较器的正输入端和所述第二比较器的负输入端和所述第二NMOS管的漏极和所述第一电容的一端;所述第二NMOS管的源极接地;所述第一电容的另一端接地;所述第一比较器的负输入端接基准电压VREF2,输出端接所述第一或非门的一输入端;所述第二比较器的正输入端接基准电压VREF3,输出端接所述第二或非门的一输入端;所述第一或非门的另一输入端接所述第二或非门的输出端,输出端接所述第二或非门的输入端和所述第一反相器的输入端;所述第二或非门的另一输入端接所述第一或非门的输出端和所述第一反相器的输入端,输出端接所述第一或非门的输入端;所述第一反相器的输出端接所述第二反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极;所述第二反相器的输出端作为振荡器的输出端OSCOUT。
本实用新型所达到的有益效果在于,通过采用带隙基准电压作为比较点以及正负温度系数电阻相互抵消的方式,达到零温度系数振荡频率的振荡装置。
附图说明
图1为现有技术的电路图。
图2为本实用新型的零温度系数的振荡装置的电路图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型内容进一步说明。
零温度系数的振荡装置,如图2所示,包括第一运算放大器101、第一NMOS管102、第一电阻1031、第二电阻1032、第一PMOS管104、第二PMOS管105、第三PMOS管106、第二NMOS管107、第一电容108、第一比较器109、第一或非门110、第二比较器111、第二或非门112、第一反相器113和第二反相器114:
所述第一运算放大器101的正输入端接基准电压VREF1,负输入端接所述第一NMOS管102的源极和所述第一电阻1031的一端,输出端接所述第一NMOS管102的栅极;所述第一NMOS管102的漏极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管105的栅极;所述第一电阻1031和所述第二电阻1032串联接地;
所述第一PMOS管104和所述第二PMOS管105接成镜像电流镜,所述第二PMOS管105的漏极接所述第三PMOS管106的源极;
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