[实用新型]零温度系数的振荡装置

权利要求书

1.零温度系数的振荡装置，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第一比较器、第一或非门、第二比较器、第二或非门、第一反相器和第二反相器：

所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一电阻和所述第二电阻串联接地；

所述第一PMOS管和所述第二PMOS管接成镜像电流镜，所述第二PMOS管的漏极接所述第三PMOS管的源极；

所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端，漏极接所述第一比较器的正输入端和所述第二比较器的负输入端和所述第二NMOS管的漏极和所述第一电容的一端；所述第二NMOS管的源极接地；所述第一电容的另一端接地；所述第一比较器的负输入端接基准电压VREF2，输出端接所述第一或非门的一输入端；所述第二比较器的正输入端接基准电压VREF3，输出端接所述第二或非门的一输入端；所述第一或非门的另一输入端接所述第二或非门的输出端，输出端接所述第二或非门的输入端和所述第一反相器的输入端；所述第二或非门的另一输入端接所述第一或非门的输出端和所述第一反相器的输入端，输出端接所述第一或非门的输入端；所述第一反相器的输出端接所述第二反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极；所述第二反相器的输出端作为振荡器的输出端OSCOUT。

2.如权利要求1所述的零温度系数的振荡装置，其特征在于，所述第一电阻采用基区电阻，所述第二电阻采用多晶电阻。

3.如权利要求1所述的零温度系数的振荡装置，其特征在于，基准电压VREF1、VREF2、VREF3都为带隙基准电压，从带隙基准模块中得到。