[实用新型]电容屏结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及电容屏技术领域，特别是涉及一种电容屏结构。

背景技术

目前，Sensor是电容屏的重要组成部分，一般来说，例如针对ONCELL类型的电容屏，玻璃上表面的线路是蚀刻上去的，因此可能存在线宽线距不一样的情况。根据电容公式C＝εS/d(平行板正对面积s，介质的介电系数ε，d平行板间的距离)，可见，线宽线距是影响电容大小的根本原因之一。

目前行业检验流程为光玻璃线路蚀刻，切割小片，光玻璃功能假压FPC测试容值。此时测试NG(Not Good，不良)的产品掺杂着开路短路真正的异常品，也有容值超限的产品同样按照报废处理，如此造成了物料的浪费。而且测试OK的产品中容值差异也是参差不齐，离散性较大，导致软件调试兼容性差，这样整机消费者的体验效果也有较大差异：容值高的手机较灵敏，小的不灵敏等。

实用新型内容

基于此，有必要针对如何高效地区分产品的容值，提高产品的容值一致性的技术问题，提供一种电容屏结构。

一种电容屏结构，该电容屏结构包括电容屏功能层、玻璃基板以及容值测试图案组，所述电容屏功能层印设于所述玻璃基板的表面，所述容值测试图案组印设于所述玻璃基板表面的空白区域；所述容值测试图案组包括若干条ITO图案，所述若干条ITO图案排列分布于所述空白区域，所述容值测试图案组中的各条ITO图案的宽度相异。

在其中一个实施例中，所述容值测试图案组中的每一条ITO图案的宽度依次递增。

在其中一个实施例中，所述空白区域邻近所述电容屏功能层，所述若干条ITO图案呈一排分布于所述空白区域。

在其中一个实施例中，呈一排分布的所述容值测试图案组中的每一条ITO图案的宽度依次递增。

在其中一个实施例中，)所述空白区域邻近所述电容屏功能层，所述若干条ITO图案呈一列分布于所述空白区域。

在其中一个实施例中，所述容值测试图案组中的每一条ITO图案的宽度朝着远离所述电容屏功能层的方向依次递增。

在其中一个实施例中，所述ITO图案的数量为3～7条。

在其中一个实施例中，所述ITO图案的数量为5条，5条所述ITO图案的宽度依次为6微米、8微米、10微米、12微米以及14微米。

在其中一个实施例中，所述ITO图案为矩形。

在其中一个实施例中，所述若干条ITO图案等间距分布于所述空白区域。

上述电容屏结构，通过在玻璃基板的空白区域设置容值测试图案组，容值测试图案组不影响电容屏的正常触控功能，同时，在时刻电容屏功能层的过程中，容值测试图案组同样也被蚀刻，由于在蚀刻过程中往往会出现过蚀刻的情况，但是产品不同位置过蚀刻量差异不大，而容值测试图案组中的各条ITO图案的宽度相异，因此可以利用显微镜或摄像头测量计算剩余ITO图案的数量便知道电容屏功能层的ITO过蚀刻情况，从而达到区分不同容值的电容屏玻璃的目的，这样可以分配给不同项目或调试不同软件，例如容值小的产品通过软件补偿提升其灵敏度，从而达到产品的容值一致性的效果。

附图说明

图1为一个实施例中电容屏结构的结构示意图；

图2为图1所示实施例电容屏结构的另一视角的结构示意图；

图3为一个实施例中容值测试图案组的分布结构示意图；

图4为一个实施例中ITO图案的过蚀刻的状态结构示意图；

图5为在过蚀刻情况不同的实施例中容值测试图案组的剩余ITO的数量示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

请一并参阅图1和图2，其分别为一个实施例中电容屏结构10的结构示意图和另一视角的结构示意图。

如图1所示，例如，该电容屏结构10包括电容屏功能层110、玻璃基板120以及容值测试图案组130，电容屏功能层110印设于玻璃基板120的表面，容值测试图案组130印设于玻璃基板120表面的空白区域121。

如图2所示，例如，容值测试图案组130包括若干条ITO图案131。例如，若干条ITO图案131排列分布于空白区域121，容值测试图案组130中的各条ITO图案的宽度相异。