[实用新型]一种斜面式底面碳碳框

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池片领域，具体是一种斜面式底面碳碳框。

背景技术

太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片；它只要被满足一定照度条件的光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流；太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置；以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。

随着太阳能电池行业的不断发展，内业竞争也在不断加剧，大型太阳能电池企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内优秀的太阳能电池生产企业愈来愈重视对行业市场的研究，特别是对产业发展环境和产品购买者的深入研究；正因为如此，一大批国内优秀的太阳能电池品牌迅速崛起，逐渐成为太阳能电池行业中的翘楚。

碳碳框是用于太阳能电池片进行PECVD镀膜时用的工具，碳碳框由多个内框构成的碳碳框主体和导轨条及其它配件组成，硅片是太阳能电池片的材料，硅片放在碳碳框内，利用碳碳框内的台阶面托起硅片；普通的碳碳框的底面为平面与硅片接触面积大，造成硅片边缘移发白和反镀膜现象。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种斜面式底面碳碳框，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种斜面式底面碳碳框，包括斜面式底面碳碳框本体；所述斜面式底面碳碳框本体是由多个碳碳框组成；所述碳碳框的每个为边框为凸台形结构，每个碳碳框中间固定安装有硅片、在硅片与碳碳框的接触面设有倾斜面，使得硅片与碳碳框底面是线与面的接触，就大程度的减少了硅片于碳碳框的接触面积，从而减少硅片边缘移发白和反镀膜现象。

作为本实用新型进一步的方案：所述碳碳框高纯石墨材料制造而成。

作为本实用新型再进一步的方案：所述碳碳框的棱角处做倒圆角处理。

作为本实用新型再进一步的方案：所述硅片与碳碳框的接触面积为2353平方毫米。

作为本实用新型再进一步的方案：所述倾斜面与水平面的夹角为30度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型把平底面做一定角度的斜面，使得硅片于碳碳框底面是线于面的接触，就大程度的减少了硅片于碳碳框的接触面积；从而减少硅片边缘移发白和反镀膜现象。

附图说明

图1为一种斜面式底面碳碳框的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种斜面式底面碳碳框，包括斜面式底面碳碳框本体；所述斜面式底面碳碳框本体是由多个碳碳框2组成；所述碳碳框2的每个为边框为凸台形结构，每个碳碳框2中间固定安装有硅片1、在硅片1与碳碳框2的接触面设有倾斜面3，使得硅片1与碳碳框1底面是线于面的接触，就大程度的减少了硅片1于碳碳框2的接触面积，从而减少硅片1边缘移发白和反镀膜现象。

所述碳碳框2高纯石墨材料制造而成。

所述碳碳框2的棱角处做倒圆角处理。

所述硅片1与碳碳框1的接触面积为2353平方毫米。

所述倾斜面3与水平面的夹角为30度。

本实用新型的工作原理是：本实用新型把平底面做一定角度的斜面，使得硅片于碳碳框底面是线于面的接触，就大程度的减少了硅片于碳碳框的接触面积。减少硅片边缘移发白和反镀膜现象。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。