[实用新型]一种斜面式底面碳碳框有效
申请号: | 201720483714.1 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN206789558U | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 卢亚春;张华;郑方渊 | 申请(专利权)人: | 上海弘竣实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/687 |
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地址: | 201708 上海市青浦区华*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 斜面 底面 碳碳框 | ||
1.一种斜面式底面碳碳框,包括斜面式底面碳碳框本体,其特征在于,所述斜面式底面碳碳框本体是由多个碳碳框组成;所述碳碳框的每个为边框为凸台形结构,每个碳碳框中间固定安装有硅片、在硅片与碳碳框的接触面设有倾斜面,硅片与碳碳框底面是线与面的接触。
2.根据权利要求1所述的一种斜面式底面碳碳框,其特征在于,所述碳碳框高纯石墨材料制造而成。
3.根据权利要求1所述的一种斜面式底面碳碳框,其特征在于,所述碳碳框的棱角处做倒圆角处理。
4.根据权利要求1所述的一种斜面式底面碳碳框,其特征在于,所述硅片与碳碳框的接触面积为2353平方毫米。
5.根据权利要求1所述的一种斜面式底面碳碳框,其特征在于,所述倾斜面与水平面的夹角为30度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的