[实用新型]超结MOSFET多结终端结构有效
| 申请号： | 201720441794.4 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN206650081U | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;徐承福;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 终端 结构 | ||
1.一种超结MOSFET多结终端结构，包括N+型衬底(1)及形成于所述N+型衬底(1)上的N-型外延层(2)；其特征在于，
所述N-型外延层(2)包括元胞区(I)和包围所述元胞区(I)的终端区(II)；
所述元胞区(I)中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N-型外延层(2)中的一对元胞区P柱(203)；所述一对元胞区P柱(203)顶端分别连接有一P型体区(206)；
P型体区(206)顶部形成有N+型体接触区(209)；P型体区(206)和N+型体接触区(209)都位于N-型外延层(2)内；
与终端区非相邻的P型体区(206)顶部间隔设有两块N+型体接触区(209)；
与终端区相邻的P型体区(206)顶部在背离终端区一侧设有一块N+型体接触区(209)；
在元胞区(I)范围内，N-型外延层(2)表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱(203)之间，与一对元胞区P柱(203)上方的N+型体接触区(209)分别接触；
所述终端区(II)中的N-型外延层(2)中形成有至少一个终端区P柱(204)；
终端区的N-型外延层(2)表面形成有氧化绝缘层(210)；
所述终端区中每个终端区P柱(204)顶端都连接有一个P-型体区(205)。
2.如权利要求1所述的超结MOSFET多结终端结构，其特征在于，
元胞区中与终端区相邻的P型体区(206)与最靠近元胞区的一个P-型体区(205)相接。
3.如权利要求1所述的超结MOSFET多结终端结构，其特征在于，
栅极结构包括N-型外延层(2)表面的栅氧化层(207)和栅氧化层(207)上方的多晶硅栅极(208)。
4.如权利要求3所述的超结MOSFET多结终端结构，其特征在于，
多晶硅栅极(208)周围和上方设有氧化层，该氧化层与栅氧化层(207)均采用二氧化硅。
5.如权利要求1所述的超结MOSFET多结终端结构，其特征在于，
终端区P柱(204)的深度为30～60微米。
6.如权利要求1所述的超结MOSFET多结终端结构，其特征在于，
所述元胞区P柱(203)及所述终端区P柱(204)采用P型单晶硅。
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