[实用新型]水膜槽和湿刻水膜装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造领域，尤其是涉及一种水膜槽和湿刻水膜装置。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片，目前绝大多数都采用硅片制成。

现有技术中，晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括：清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中，刻蚀是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序。刻蚀工序中，硅片经传送带依次通过刻蚀槽，水洗槽，碱槽，水洗槽，酸槽，水洗槽，烘干槽。目前刻蚀工序均采用水膜工艺，即在硅片进入刻蚀槽之前，在硅片上表面铺一层水，以保护硅片的N面。此部分的水经过刻蚀槽后，随片子进入水洗槽中，从而造成这部分水的浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种水膜槽和湿刻水膜装置，以解决现有技术中存在的技术问题。

本实用新型提供的水膜槽，包括槽体和除水装置；

所述除水装置设置在所述槽体的上方，能够将在所述槽体内通过的硅片上方的水膜除去。

进一步的，所述槽体内平行设置有多个滚轮，用于硅片的运输。

进一步的，所述除水装置为风刀。

进一步的，所述风刀上设置有第一流量控制阀，用于控制风刀的吹风量；

和/或，

所述风刀转动设置在所述槽体的上方，能够根据硅片的位置调整所述风刀的吹风方向。

本实用新型还提供了一种湿刻水膜装置，其包括刻蚀槽、第一水洗槽、碱槽、第二水洗槽、酸槽、第三水洗槽、烘干槽和上述的水膜槽；

所述刻蚀槽、所述水膜槽、第一水洗槽、碱槽、第二水洗槽、酸槽、第三水洗槽和烘干槽依次连接，对硅片进行处理。

进一步的，所述水膜槽下方设置有循环槽，用于收集所述水膜槽中被风刀吹下的水后进行循环利用。

进一步的，所述循环槽通过水膜机台与所述刻蚀槽连接。

进一步的，所述刻蚀槽上方设置有喷嘴，用于向所述刻蚀槽内喷水对硅片进行冲洗。

进一步的，所述喷嘴内设置有第二流量控制阀，用于控制所述喷嘴内水的流量。

进一步的，所述喷嘴为多个；

多个所述喷嘴成排设置，能够根据硅片的多少控制喷嘴开启数量。

本实用新型提供的水膜槽和湿刻水膜装置，通过水膜槽上方的除水装置使硅片上的水落入到槽体内，进行汇聚后重复利用，提高了水的利用率，同时也提高了硅片清洗的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的水膜槽的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的水膜槽的内部俯视图；

图3为本实用新型实施例提供的湿刻水膜装置结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的湿刻水膜装置的另一种结构示意图。

附图标记：

1：槽体；2：滚轮；3：第一流量控制阀；4：风刀；5：水膜机台； 6：喷嘴；7：刻蚀槽；8：循环槽；9：水膜槽；10：第一水洗槽；11：碱槽。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。