[实用新型]水膜槽和湿刻水膜装置有效
| 申请号： | 201720436020.2 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN206727062U | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 侯玉;张春华;衡阳;郑旭然;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 谭承世 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水膜槽 湿刻水膜 装置 | ||
1.一种水膜槽，其特征在于，包括槽体和除水装置；
所述除水装置设置在所述槽体的上方，能够将在所述槽体内通过的硅片上方的水膜除去。
2.根据权利要求1所述的水膜槽，其特征在于，所述槽体内平行设置有多个滚轮，用于硅片的运输。
3.根据权利要求1所述的水膜槽，其特征在于，所述除水装置为风刀。
4.根据权利要求3所述的水膜槽，其特征在于，所述风刀上设置有第一流量控制阀，用于控制风刀的吹风量；
和/或，
所述风刀转动设置在所述槽体的上方，能够根据硅片的位置调整所述风刀的吹风方向。
5.一种湿刻水膜装置，其特征在于，包括刻蚀槽、第一水洗槽、碱槽、第二水洗槽、酸槽、第三水洗槽、烘干槽和权利要求1-4任一项所述的水膜槽；
所述刻蚀槽、所述水膜槽、第一水洗槽、碱槽、第二水洗槽、酸槽、第三水洗槽和烘干槽依次连接，对硅片进行处理。
6.根据权利要求5所述的湿刻水膜装置，其特征在于，所述水膜槽下方设置有循环槽，用于收集所述水膜槽中被风刀吹下的水后进行循环利用。
7.根据权利要求6所述的湿刻水膜装置，其特征在于，所述循环槽通过水膜机台与所述刻蚀槽连接。
8.根据权利要求5所述的湿刻水膜装置，其特征在于，所述刻蚀槽上方设置有喷嘴，用于向所述刻蚀槽内喷水对硅片进行冲洗。
9.根据权利要求8所述的湿刻水膜装置，其特征在于，所述喷嘴内设置有第二流量控制阀，用于控制所述喷嘴内水的流量。
10.根据权利要求9所述的湿刻水膜装置，其特征在于，所述喷嘴为多个；
多个所述喷嘴成排设置，能够根据硅片的多少控制喷嘴开启数量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
