[实用新型]一种用于微元件转移的转置头

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种转置头，尤其涉及一种用于微元件转移的转置头。

背景技术

微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管（Micro LED）技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在制造微元件过程中的一个困难在于：如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。

传统转移微元件的方法为借由基板接合（Wafer Bonding）将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/剥离的步骤，首先，转移基板自施体基板提取微元件阵列，接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板，最后再把转移基板移除。其中，提取微元件阵列一般通过静电拾取的方式来执行。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，转移工艺效率有限，且导致产量小和可靠性差。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案包括：一种用于微元件转移的转置头，包括：基板本体；凸起结构，其从所述基板本体凸出；以及柔性粘附层，其覆盖于所述凸起结构的表面。

进一步地，所述凸起结构利用柔性粘附层对微元件的吸附力进行转移。

进一步地，所述凸起结构包括侧表面和下表面形成的台面。

进一步地，所述凸起结构包括一通孔，所述通孔从基板本体延伸，并且贯穿柔性粘附层。

进一步地，所述凸起结构利用通孔排除空气，藉由真空压力对微元件进行转移。

进一步地，所述柔性粘附层覆盖于所述凸起结构的侧表面以及所述基板本体的部分下表面。

进一步地，所述基板本体选用硅或陶瓷或金属或聚合物或前述任意组合之一。

进一步地，所述柔性粘附层选用硅树脂或玻璃或聚酰亚胺(PI)或聚二甲硅氧烷(PDMS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或前述任意组合之一。

进一步地，所述柔性粘附层的厚度为微米量级。

进一步地，所述柔性粘附层的厚度为10μm~1000μm。

与现有技术相比，本实用新型至少包括如下优点：本实用新型提供的转置头，其利用从基板本体凸出一凸起结构，并藉由覆盖于凸起结构上的柔性粘附层对微元件的吸附力进行转移，尤适用于转移具有一定表面粗糙度的微元件；凸起结构利用通孔排除空气，藉由真空压力对微元件进行转移，提升高质量快速转移微元件的可靠性。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1是实施例1所述的用于微元件转移的转置头的示意图。

图2是实施例2所述的用于微元件转移的转置头的示意图。

图3是实施例3所述的用于微元件转移的转置头的示意图。

图4是实施例4所述的用于微元件转移的转置头的示意图。

图中部件符号说明：100：基板本体；101：凸起结构；200：柔性粘附层；300：微元件；400：承载基板；500：通孔。

具体实施方式

下面结合具体实施例来对本实用新型进行详细的说明。

实施例1