[实用新型]磁传感器集成电路、电机组件及应用设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计技术领域，更具体的说，是涉及一种磁传感器集成电路、电流源发生器、使用该磁传感器集成电路的电机组件及使用该电机组件的应用设备。

背景技术

霍尔传感器是广泛应用的磁场检测元件，特别是在电机领域通常使用霍尔传感器检测磁场变化以控制电机换向、转速等。霍尔元件通常由半导体材料制成且在霍尔元件两端施加恒定电压驱动，在温度变化时，霍尔元件的灵敏度变化明显，需要额外增加温度补偿电路对霍尔信号进行补偿。然而，现有温度补偿电路设计复杂，且占用集成电路的空间较大。

实用新型内容

本实用新型提供了一种磁传感器集成电路及电流源发生器，以解决现有技术中由于需要额外增加温度补偿电路对霍尔信号进行补偿，而现有温度补偿电路设计复杂，占用集成电路的空间较大的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种磁传感器集成电路，包括：

磁感测元件，检测外部磁场变化以输出磁场感测信号；

信号处理器，处理所述磁场感测信号并输出磁场检测信息；及

电流源发生器，输出不受温度影响的恒定电流至所述磁感测元件。

优选的，所述电流源发生器包括：电压源，用于输出基准电压；及与所述电压源连接的温度补偿电阻，且所述电压源经所述温度补偿电阻输出恒定电流至所述磁感测元件。

优选的，所述电压源为带隙基准电压源，所述带隙基准电压源将直流电压转换并输出所述基准电压。

优选的，所述电流源发生器还包括与所述温度补偿电阻并联的至少一普通电阻，所述电压源经所述至少一普通电阻输出至少一电流。

优选的，所述温度补偿电阻包括串联的正温度系数补偿电阻和负温度系数补偿电阻。

优选的，所述正温度系数补偿电阻为第一掺杂类型多晶硅电阻，所述负温度系数补偿电阻为第二掺杂类型多晶硅电阻。

优选的，所述带隙基准电压源为双极结型晶体管核心电路。

优选的，所述双极结型晶体管核心电路包括至少两个三极管。

优选的，信号处理器包括用于对所述磁场感测信号进行放大去干扰处理的信号处理单元以及用于将经过所述信号处理单元处理的检测电信号转换为开关型检测信号的模数转换器。

优选的，所述信号处理单元包括用于放大所述磁感测信号的放大器。

优选的，所述放大器为斩波放大器。

优选的，所述信号处理单元包括开关电容滤波器，用于对磁感测元件输出并经放大的所述感测信号进行采样滤波消除偏差信号。

优选的，所述磁感测元件为霍尔元件。

优选的，所述磁传感器集成电路还包括：AC-DC转换器，用于将交流电压转换为直流电压且为所述电流源发生器提供直流电压。

一种电机组件，包括由一交流电源供电的电机；与所述电机串联的双向导通开关；以及前述的的磁传感器集成电路，所述磁传感器集成电路的输出端口与所述双向导通开关的控制端电连接。

相应的，本实用新型还提供了包括所述电机组件的应用设备。

可选的，所述应用设备为泵、风扇、家用电器或者车辆。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本实用新型的磁传感器集成电路中的磁感测元件接受不受温度变化影响的恒定电流，在恒定电流驱动条件下，磁感测元件的灵敏度基本不受温度影响从而本实用新型的磁传感器集成电路不需要额外增加温度补偿电路对霍尔信号进行温度补偿，补偿电路设计简单，占用集成电路的空间较小。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例公开的磁传感器集成电路的总体结构示意图。

图2为本实用新型实施例公开的一种电流源发生器的结构示意图。

图3为本实用新型实施例公开的一种磁传感器集成电路结构示意图。

图4为本实用新型实施例中的AC-DC转换器的结构示意图。

图5为本实用新型实施例公开的的一种信号处理器结构示意图。

图6为本实用新型实施例公开的一种带隙基准电压源结构示意图。

图7是本实用新型实施例公开的一种电机组件的电路结构示意图。