[实用新型]磁传感器集成电路、电机组件及应用设备有效

专利信息
申请号: 201720414434.5 申请日: 2017-04-19
公开(公告)号: CN207067370U 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 蔡光杰;王俊辉 申请(专利权)人: 德昌电机(深圳)有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/07;G01R33/00;H02K11/215
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂,张洋
地址: 518125 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 传感器 集成电路 电机 组件 应用 设备
【权利要求书】:

1.一种磁传感器集成电路,其特征在于,包括:

磁感测元件,检测外部磁场变化以输出磁场感测信号;

信号处理器,处理所述磁场感测信号并输出磁场检测信息;及

电流源发生器,输出不受温度影响的恒定电流至所述磁感测元件。

2.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述电流源发生器包括:电压源,用于输出基准电压;及与所述电压源连接的温度补偿电阻,且所述电压源经所述温度补偿电阻输出恒定电流至所述磁感测元件。

3.根据权利要求2所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述电压源为带隙基准电压源,所述带隙基准电压源将直流电压转换并输出所述基准电压。

4.根据权利要求2所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述电流源发生器还包括至少一普通电阻,所述电压源经所述至少一普通电阻输出至少一电流。

5.根据权利要求2所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述温度补偿电阻包括串联的正温度系数补偿电阻和负温度系数补偿电阻。

6.根据权利要求5所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述正温度系数补偿电阻为第一掺杂类型多晶硅电阻,所述负温度系数补偿电阻为第二掺杂类型多晶硅电阻。

7.根据权利要求3所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述带隙基准电压源为双极结型晶体管核心电路。

8.根据权利要求7所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述双极结型晶体管核心电路包括至少两个三极管。

9.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路,其特征在于,信号处理器包括用于对所述磁场感测信号进行放大去干扰处理的信号处理单元以及用于将经过所述信号处理单元处理的检测信号转换为开关型检测信号的模数转换器。

10.根据权利要求9所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述信号处理单元包括用于放大所述磁感测信号的放大器。

11.根据权利要求10所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述放大器为斩波放大器。

12.根据权利要求9所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述信号处理单元包括开关电容滤波器,用于对磁感测元件输出并经放大的所述感测信号进行采样滤波消除偏差信号。

13.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述磁感测元件为霍尔元件。

14.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述磁传感器集成电路还包括:

AC-DC转换器,用于将交流电压转换为直流电压且为所述电流源发生器提供直流电压。

15.一种电机组件,包括如权利要求1-14至少一项所述的磁传感器集成电路。

16.一种具有如权利要求15所述的电机组件的应用设备。

17.根据权利要求16所述的应用设备,其特征在于,所述应用设备为泵、风扇、家用电器或者车辆。

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